公开(公告)号：CN1298023C

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN00817712.0

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

Abstract: 蚀刻第一Ⅲ族氮化物半导体层31，由此形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，第二Ⅲ族氮化物层32可以从用作外延生长晶核的柱子的顶面及沟槽的侧壁/多个侧壁纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。这种情况下，可以防止第一Ⅲ族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二Ⅲ族氮化物半导体32的上部扩展。结果，在掩埋的沟槽处形成几乎没有贯穿位错的区域。

公开(公告)号：CN1413357A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817712.0

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

Abstract: 蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条纹状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，第二III族氮化物层32可以从用作外延生长晶核的柱子的顶面及沟槽的侧壁/多个侧壁纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展。结果，在掩埋的沟槽处形成几乎没有贯穿位错的区域。

公开(公告)号：CN100421213C

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN01810596.3

申请日：2001-03-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫 ,  永井诚二

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种抑制螺位错的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层(31)腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜(4)、厚度是其上面在比GaN层(31)的上面低的位置。以台阶上层的上面(31a)及侧面(31b)作为核，通过使GaN(32)横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN(32)横向外延成长的掩膜(4)的上部能制成抑制GaN层(31)具有的螺位错传播的区域。

公开(公告)号：CN1633700A

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN01810596.3

申请日：2001-03-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  平松敏夫 ,  永井诚二

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种抑制贯通转位的III族氮化物系化合物半导体。将GaN层31腐蚀成点状、条纹状或格栅状等小岛状态设置台阶，在底部形成掩膜4、厚度是其上面在比GaN层31的上面低的位置。以台阶上层的上面31a及侧面31b作为核，通过使GaN 32横向外延成长把台阶部分填埋后、也能使在上方成长。这时GaN 32横向外延成长的掩膜4的上部能制成抑制GaN层31具有的贯通转位传播的区域。

公开(公告)号：CN1429401A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN01809470.8

申请日：2001-03-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  山下弘 ,  永井诚二 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0265 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。

公开(公告)号：CN1213462C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN01809470.8

申请日：2001-03-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  手钱雄太 ,  山下弘 ,  永井诚二 ,  平松敏夫

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0265 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: 通过蚀刻第一III族氮化物系化合物半导体层(31)成诸如点、条纹或网格的孤岛形式而设置了台阶，并且不同于层(31)的层形成在底部上以便暴露出来。第二III族氮化物系化合物半导体(32)以台阶的上阶台面的上表面和侧表面作用为晶核而横向外延生长，由此填埋台阶部分，并然后允许其向上生长。第二半导体(32)横向外延生长的一部分可以作为约束自第一层(31)产生的贯穿位错的扩散的区域。蚀刻可以进行成直到衬底内形成凹陷位置。原子半径大于主要构成元素镓(Ga)的铟(In)掺杂在作为ELO晶核的层中。第一半导体层可以是由缓冲层和单晶层以多重循环的形式形成的多层。

公开(公告)号：CN1189920C

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN00817714.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  小岛彰 ,  平松敏夫 ,  手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。

公开(公告)号：CN1413358A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN00817714.7

申请日：2000-12-21

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小池正好 ,  小岛彰 ,  平松敏夫 ,  手钱雄太

IPC: H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 利用掩模4，蚀刻第一III族氮化物半导体层31，由此形成点状、条状或栅格状等岛状结构，以便提供沟槽/柱子。这样，无须除去形成于柱子上层顶面的掩模4，第二III族氮化物层32即可以沟槽的侧壁/多个侧壁为晶核纵向和横向地外延生长，进而掩埋沟槽，并且使该层沿纵向生长。第二III族氮化物层32不在掩模4上外延生长。这种情况下，可以防止第一III族氮化物半导体层31中所包含的贯穿位错在经横向外延生长而形成的第二III族氮化物半导体32的上部扩展，并且可以在沟槽的掩埋部分形成几乎没有贯穿位错的区域。