公开(公告)号：CN1473355A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802829.5

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中琢理 ,  小西亮平 ,  安河内隆一 ,  小出康夫 ,  村上正纪 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L29/1608 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明的目的是提供一种用于p－型SiC的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的p－型电极包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中的至少一种。