公开(公告)号：CN103855605B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310637021.X

申请日：2013-12-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 向野美乡 ,  中村亮

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供了用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在通过形成阱层、盖层和势垒层来形成发光层的情况下，形成了具有优异的平坦性和结晶性的阱层，同时抑制了阱层发生损坏。在形成发光层时，在发光层中设置有凹坑以使得凹坑直径D落在120nm至250nm的范围内。发光层形成步骤包括形成势垒层、形成阱层以及形成盖层的步骤。势垒层的生长温度比阱层的生长温度高在65℃至135℃的范围内的任意温度。

公开(公告)号：CN103855605A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310637021.X

申请日：2013-12-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 向野美乡 ,  中村亮

IPC: H01S5/34

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供了用于制造第III族氮化物半导体发光器件的方法，其中在通过形成阱层、盖层和势垒层来形成发光层的情况下，形成了具有优异的平坦性和结晶性的阱层，同时抑制了阱层发生损坏。在形成发光层时，在发光层中设置有凹坑以使得凹坑直径D落在120nm至250nm的范围内。发光层形成步骤包括形成势垒层、形成阱层以及形成盖层的步骤。势垒层的生长温度比阱层的生长温度高在65℃至135℃的范围内的任意温度。