公开(公告)号：CN105810782B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610028252.4

申请日：2016-01-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 户谷真悟 ,  中内润

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/324 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。

公开(公告)号：CN105810782A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610028252.4

申请日：2016-01-15

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 户谷真悟 ,  中内润

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/324 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0016 ,  H01L21/324 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。