公开(公告)号：CN104319328A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410543185.0

申请日：2014-10-14

Applicant: 中山大学

Inventor： 王钢 ,  陈义廷 ,  范冰丰 ,  招瑜

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008

Abstract: 本发明公开了一种GaN基LED芯片表面粗化的方法，包括：1)在半导体衬底上依次成长GaN缓冲层、不掺杂GaN层、n-GaN层、多量子阱层、p-GaN层；当只需在AZO电流扩展层上制作粗化结构时，在p-GaN层上生长AZO电流扩展层；2)制备Ag纳米颗粒掩膜，在AZO电流扩展层或p-GaN层上制作粗化结构。其中，在p-GaN上制作粗化结构后，再对具有粗化结构的P-GaN层进行二次外延，生长AZO电流扩展层。所述制备方法成本低，可以制作大面积光子晶体结构，同时适用范围广，可在不同半导体材料上实现，并使之形成光子晶体结构；此外，本发明制备的阳极氧化铝掩膜的周期可控，且光子晶体结构容易实现。