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发明公开
薄膜晶体管及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117525162A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310946945.1

申请日：2023-07-31

Applicant: 中央大学校产学协力团 , 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 朴星奎 , 田盛弼 , 金永薰 , 朴宝娟

IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/477

Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。本发明的薄膜晶体管，包括：金属层，形成在栅极绝缘膜上；金属氧化物层，形成在所述金属层上，并形成为覆盖所述金属层的整个表面；金属氧化物半导体层，形成为覆盖所述金属氧化物层的整个表面；以及，源极/漏极电极，形成在所述金属氧化物半导体层上，在与所述金属氧化物层相邻的所述金属氧化物半导体层的内部还包括缺氧层，所述金属氧化物半导体层是非晶质金属氧化物半导体层通过热处理结晶化的。

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