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公开(公告)号：CN118424492B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202410635757.1
申请日：2024-05-22
Abstract: 本发明公开石墨烯氯氧铬异质结量子霍尔电阻的量子电压噪声温度计，包括异质结量子霍尔电阻、量子电压赝噪声源、开关转换电路、两路放大滤波电路、数据采集处理电路；开关转换电路的输入端分别与异质结量子霍尔电阻、量子电压赝噪声源的输出端电连接，输出端依次与放大滤波电路、数据采集处理电路电连接；数据采集处理电路包括两个模数转换器和数据处理电路，每个模数转换器的输入端与一路放大滤波电路输出端电连接，输出端与数据处理电路电连接。本发明采用大面积石墨烯/一氧一氯化铬异质结量子霍尔电阻作为电阻探测器，横向电导量子化可以在很小的磁场下发生，可实现在宽强磁场范围和宽低温范围内原级温度测量。
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公开(公告)号：CN118424492A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410635757.1
申请日：2024-05-22
Abstract: 本发明公开石墨烯氯氧铬异质结量子霍尔电阻的量子电压噪声温度计，包括异质结量子霍尔电阻、量子电压赝噪声源、开关转换电路、两路放大滤波电路、数据采集处理电路；开关转换电路的输入端分别与异质结量子霍尔电阻、量子电压赝噪声源的输出端电连接，输出端依次与放大滤波电路、数据采集处理电路电连接；数据采集处理电路包括两个模数转换器和数据处理电路，每个模数转换器的输入端与一路放大滤波电路输出端电连接，输出端与数据处理电路电连接。本发明采用大面积石墨烯/一氧一氯化铬异质结量子霍尔电阻作为电阻探测器，横向电导量子化可以在很小的磁场下发生，可实现在宽强磁场范围和宽低温范围内原级温度测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114296577B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202111604295.X
申请日：2021-12-25
Applicant: 山西大学
Abstract: 本发明属于纳米人工复合物技术领域，针对现有方法制备得到的石墨烯仍然具有很高的电阻等问题，本发明公开了一种降低石墨烯层内电阻率的方法。该方法通过范德华堆垛技术构建了六方氮化硼、CrOCl和单层石墨烯的范德瓦尔斯异质结，由于CrOCl和单层石墨烯之间的层间“界面耦合”效应，在室温下即可获得比在硅晶元表面或者六方氮化硼表面电阻率小一个数量级的石墨烯样品。该方法工艺简单，利用层间耦合这一新颖效应，可以非常简单地获得超高电导率的单层石墨烯，为未来研制超薄轻量化，低电阻触摸屏提供了更优异的材料选择。
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公开(公告)号：CN114296577A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111604295.X
申请日：2021-12-25
Applicant: 山西大学
Abstract: 本发明属于纳米人工复合物技术领域，针对现有方法制备得到的石墨烯仍然具有很高的电阻等问题，本发明公开了一种降低石墨烯层内电阻率的方法。该方法通过范德华堆垛技术构建了六方氮化硼、CrOCl和单层石墨烯的范德瓦尔斯异质结，由于CrOCl和单层石墨烯之间的层间“界面耦合”效应，在室温下即可获得比在硅晶元表面或者六方氮化硼表面电阻率小一个数量级的石墨烯样品。该方法工艺简单，利用层间耦合这一新颖效应，可以非常简单地获得超高电导率的单层石墨烯，为未来研制超薄轻量化，低电阻触摸屏提供了更优异的材料选择。
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公开(公告)号：CN114335334A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111604308.3
申请日：2021-12-25
Applicant: 山西大学
Abstract: 本发明属于纳米材料异质结构应用研究领域，针对传统砷化镓‑铝砷化镓需要液氦温度以下和10T以上磁场等苛刻的量子霍尔电阻平台测量条件等问题，公开了一种CrOCl支撑的石墨烯量子霍尔平台定义标准电阻的方法。CrOCl支撑的石墨烯体系借助于CrOCl反铁磁绝缘体对石墨烯的界面耦合，可实现对石墨烯的电子输运调控，相比于传统砷化镓‑铝砷化镓苛刻的量子霍尔电阻平台测量条件，可以通过栅压调控实现在更大的参数空间，即磁场要求低至0.2T，温度最高可达液氮温度(77K)以上，实现稳定的量子化横向电导平台，大大的降低了量子电阻标准的门槛，从而可以更加便利的使用量子电阻标准取代原来的电阻实物标准，成为新一代电阻基准，有望在量子计量学中获得广泛应用。
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公开(公告)号：CN116405019B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202310374765.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 山西大学 , 中国科学院金属研究所
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
Abstract: 本发明属于纳米材料异质结构应用技术领域，具体涉及一种双层石墨烯逻辑反相器。为提高石墨烯晶体管的开关比，本发明在二维反铁磁绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系里，借助于他们之间的界面耦合效应所产生的关联绝缘态，对两个不同的场效应器件通过改变栅压范围来分别实现P型/N型场效应曲线，将其按照CMOS逻辑反相器的接线方式连接，在Vdd为0.15V的情况下，输入电压为3V至8V，实现了Vout在Vin为一定的阈值电压时发生翻转至0V的双层石墨烯CMOS逻辑反相器。为石墨烯逻辑器件的实现提供了新的道路。
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公开(公告)号：CN116405019A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310374765.0
申请日：2023-04-10
Applicant: 山西大学 , 中国科学院金属研究所
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
Abstract: 本发明属于纳米材料异质结构应用技术领域，具体涉及一种双层石墨烯逻辑反相器。为提高石墨烯晶体管的开关比，本发明在二维反铁磁绝缘体CrOCl的双层石墨烯体系里，借助于他们之间的界面耦合效应所产生的关联绝缘态，对两个不同的场效应器件通过改变栅压范围来分别实现P型/N型场效应曲线，将其按照CMOS逻辑反相器的接线方式连接，在Vdd为0.15V的情况下，输入电压为3V至8V，实现了Vout在Vin为一定的阈值电压时发生翻转至0V的双层石墨烯CMOS逻辑反相器。为石墨烯逻辑器件的实现提供了新的道路。
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