公开(公告)号：CN108493091B

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201810194678.6

申请日：2018-03-09

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 黄泽建 ,  刘广才 ,  方向 ,  江游 ,  龚晓云 ,  翟睿 ,  谢洁 ,  刘梅英

IPC: H01J49/14 ,  H01J49/42 ,  G01N27/64

Abstract: 本发明实施例提供了一种高电子利用率低能电离装置、质谱系统及方法，包括：电离室、电子入射栅网及低能电场组件；所述电离室，位于所述电子入射栅网内侧，用于容纳待测物分子与电子，所述电子轰击所述待测物分子进行电离；所述电子入射栅网，安装在所述电离室与所述低能电场组件之间，用于提高电子利用率；所述低能电场组件，安装在所述电子入射栅网外侧，用于生成低能电场。一种采用所述电离装置的质谱系统，以及采用了所述质谱系统的质谱方法。本发明可以有效减少待测物分子产生的碎片离子并提高电子利用率，从而在气体成分的检测中不需要再借助色谱。

公开(公告)号：CN108493091A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810194678.6

申请日：2018-03-09

Applicant: 中国计量科学研究院

Inventor： 黄泽建 ,  刘广才 ,  方向 ,  江游 ,  龚晓云 ,  翟睿 ,  谢洁 ,  刘梅英

IPC: H01J49/14 ,  H01J49/42 ,  G01N27/64

Abstract: 本发明实施例提供了一种高电子利用率低能电离装置、质谱系统及方法，包括：电离室、电子入射栅网及低能电场组件；所述电离室，位于所述电子入射栅网内侧，用于容纳待测物分子与电子，所述电子轰击所述待测物分子进行电离；所述电子入射栅网，安装在所述电离室与所述低能电场组件之间，用于提高电子利用率；所述低能电场组件，安装在所述电子入射栅网外侧，用于生成低能电场。一种采用所述电离装置的质谱系统，以及采用了所述质谱系统的质谱方法。本发明可以有效减少待测物分子产生的碎片离子并提高电子利用率，从而在气体成分的检测中不需要再借助色谱。