公开(公告)号：CN112909213A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110097476.1

申请日：2021-01-25

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 阮伟民 ,  金尚忠 ,  周亚东 ,  赵天琦 ,  赵春柳

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供一种电驱动量子点单光子源及其制备方法，所述制备方法包括步骤：1)提供一基底；2)于所述基底表面沉积正电极，对该正电极刻蚀形成柱状阵列，于该正电极表面沉积第一绝缘膜；3)于所述第一绝缘膜表面沉积空穴注入层；4)提供硫化银量子点，将该量子点分散于分散液中形成量子点分散液，将所述空穴注入层上表面浸入所述量子点分散液中，在该量子点分散液与正电极之间施加电压形成稳恒电场，使量子点材料生长于该空穴注入层表面对应下方所述柱状阵列中的突起位置；5)于所述空穴注入层表面沉积第二绝缘膜，该第二绝缘膜包覆所述量子点形成量子发光层；6)于所述量子点发光层表面沉积电子注入层；7)于所述电子注入层表面形成负电极。

公开(公告)号：CN112909213B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202110097476.1

申请日：2021-01-25

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 阮伟民 ,  金尚忠 ,  周亚东 ,  赵天琦 ,  赵春柳

IPC: H10K71/00 ,  H10K50/115

Abstract: 本发明提供一种电驱动量子点单光子源及其制备方法，所述制备方法包括步骤：1)提供一基底；2)于所述基底表面沉积正电极，对该正电极刻蚀形成柱状阵列，于该正电极表面沉积第一绝缘膜；3)于所述第一绝缘膜表面沉积空穴注入层；4)提供硫化银量子点，将该量子点分散于分散液中形成量子点分散液，将所述空穴注入层上表面浸入所述量子点分散液中，在该量子点分散液与正电极之间施加电压形成稳恒电场，使量子点材料生长于该空穴注入层表面对应下方所述柱状阵列中的突起位置；5)于所述空穴注入层表面沉积第二绝缘膜，该第二绝缘膜包覆所述量子点形成量子发光层；6)于所述量子点发光层表面沉积电子注入层；7)于所述电子注入层表面形成负电极。