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公开(公告)号：CN105892102B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201410765861.9
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种墓于石墨烯的太赫兹波透射型调制器，其结构包括将CVD方法产生的单层石墨烯转移到石英玻璃基板上，并将硅/二氧化硅薄膜覆盖在石墨烯上，其中硅/二氧化硅薄膜的表面积要略小于石英玻璃基板的表面积，且硅/二氧化硅薄膜是二氧化硅朝向石墨烯，而金属电极在未覆盖硅/二氧化硅薄膜的石墨烯上，并在硅基板和金属电极上连接调制信号源，最后载波源垂宜入射硅薄膜。本发明调制器为场调制器的一种，在调制信号电压从0V～50V变化，载波源为0.6THz时，调制深度可以得到81.3％，可以对施加的载波源得到很好的调制。本发明结构简单紧凑、体积小，易于集成，控制简单并且使用范围广。
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