一种高品质因子全介质超材料环形偶极谐振装置

    公开(公告)号:CN110416683B

    公开(公告)日:2020-12-11

    申请号:CN201910627644.6

    申请日:2019-07-12

    Inventor: 洪治 罗欣 刘建军

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因子全介质超材料环形偶极谐振装置,包括基底和位于基底表面上的呈二维周期性分布的介质谐振单元,基底由介质材料制作,所述介质谐振单元由两个介质开口环组成,所述两个介质开口环相互靠近的部位为相互平行的直介质条,且所述直介质条之间的间隔g2需要满足0.01λ≤g2≤0.1λ;所述两个介质开口环的开口大小相等,开口方向都平行于所述相互平行的直介质条,且开口环的开口大小g1需要满足g1≤0.05λ;所述开口方向指连接开口两侧介质条末端中心的线条所在的方向。其中,λ为所述谐振装置的谐振中心波长。介质谐振单元的介电常数大于基底的介电常数。在电磁波垂直于介质谐振单元的上表面入射且电场偏振方向平行介质开口环的开口方向的情况下,可产生环形偶极谐振,实现极高的Q值。

    一种高品质因子全介质超材料环形偶极谐振装置

    公开(公告)号:CN110416683A

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201910627644.6

    申请日:2019-07-12

    Inventor: 洪治 罗欣 刘建军

    Abstract: 本发明公开了一种高品质因子全介质超材料环形偶极谐振装置,包括基底和位于基底表面上的呈二维周期性分布的介质谐振单元,基底由介质材料制作,所述介质谐振单元由两个介质开口环组成,所述两个介质开口环相互靠近的部位为相互平行的直介质条,且所述直介质条之间的间隔g2需要满足0.01λ≤g2≤0.1λ;所述两个介质开口环的开口大小相等,开口方向都平行于所述相互平行的直介质条,且开口环的开口大小g1需要满足g1≤0.05λ;所述开口方向指连接开口两侧介质条末端中心的线条所在的方向。其中,λ为所述谐振装置的谐振中心波长。介质谐振单元的介电常数大于基底的介电常数。在电磁波垂直于介质谐振单元的上表面入射且电场偏振方向平行介质开口环的开口方向的情况下,可产生环形偶极谐振,实现极高的Q值。

Patent Agency Ranking