公开(公告)号：CN113278948B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110410386.3

申请日：2021-04-16

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 舒海波 ,  程烨城 ,  黄杰 ,  梁培 ,  刘雪吟 ,  刘诗彤

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化锡异质结材料及其制备方法，使用硫粉作为硫源，硫化锡粉末作为锡源，在标准大气压条件下，采用一步化学气相沉积方法在氟金云母片上得到高结晶性、分布均匀的一维硫化锡/二维二硫化锡混合维度异质结材料。本发明所采用的制备方法操作简便、重复性好，通过简单地调节硫粉温区和硫化锡温区的温度的得到了高质量混合维度异质结中最佳生长参数。通过本发明所制得的一维硫化锡/二维二硫化锡混合维度异质结具有独特的光电特性，在纳米电子和光电子器件领域具有潜在的应用价值。

公开(公告)号：CN113278948A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110410386.3

申请日：2021-04-16

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 舒海波 ,  程烨城 ,  黄杰 ,  梁培 ,  刘雪吟 ,  刘诗彤

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种硫化锡/二硫化锡异质结材料及其制备方法，使用硫粉作为硫源，硫化锡粉末作为锡源，在标准大气压条件下，采用一步化学气相沉积方法在氟金云母片上得到高结晶性、分布均匀的一维硫化锡/二维二硫化锡混合维度异质结材料。本发明所采用的制备方法操作简便、重复性好，通过简单地调节硫粉温区和硫化锡温区的温度的得到了高质量混合维度异质结中最佳生长参数。通过本发明所制得的一维硫化锡/二维二硫化锡混合维度异质结具有独特的光电特性，在纳米电子和光电子器件领域具有潜在的应用价值。