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公开(公告)号：CN111613902A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010654965.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种可调谐太赫兹吸波器，从底部向上依次包括金属层、掺杂硅层、钛酸锶(STO)层、石墨烯层；所述掺杂硅层、所述STO层、所述石墨烯层周期性排列在所述金属层上，排列周期小于入射波长。石墨烯在太赫兹波段具有巨大的吸收率，并且在该吸波器上施加电压会改变石墨烯层的化学势，实现吸收振幅调谐；硅作为一种半导体材料，通过外界的光泵浦会改变载流子浓度，实现吸收振幅调谐；STO是一种热敏感材料，通过改变外界温度，实现中心频率调谐。本发明通过电、光、热三种调控方式实现吸波器的吸收振幅和中心频率的独立可调。本发明结构简单，容易加工，且吸收调谐效果较好。适用于电磁抗干扰及现代通信系统。
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公开(公告)号：CN111613902B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010654965.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开一种可调谐太赫兹吸波器，从底部向上依次包括金属层、掺杂硅层、钛酸锶(STO)层、石墨烯层；所述掺杂硅层、所述STO层、所述石墨烯层周期性排列在所述金属层上，排列周期小于入射波长。石墨烯在太赫兹波段具有巨大的吸收率，并且在该吸波器上施加电压会改变石墨烯层的化学势，实现吸收振幅调谐；硅作为一种半导体材料，通过外界的光泵浦会改变载流子浓度，实现吸收振幅调谐；STO是一种热敏感材料，通过改变外界温度，实现中心频率调谐。本发明通过电、光、热三种调控方式实现吸波器的吸收振幅和中心频率的独立可调。本发明结构简单，容易加工，且吸收调谐效果较好。适用于电磁抗干扰及现代通信系统。
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公开(公告)号：CN214280216U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202022224953.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯平板超材料可调谐太赫兹吸波器；所述吸波器由石墨烯层、介质层和平面金属层三部分构成；石墨烯层由单层网状石墨烯构成，通过外部偏置电压可以改变石墨烯载流子浓度，可达到对吸收幅度的调控；介质层由第一二氧化硅层、硅层及第二二氧化硅层组成。当太赫兹波正入射到所述吸波器时，石墨烯层使得部分光波进入到介质层，太赫兹波在由介质层构成的谐振腔中多次反射直至消耗殆尽，通过平面金属层来阻挡入射光波的透射。所述吸波器结构简单，易于加工，可应用于光学隐身、传感器、成像和光谱学等领域。
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公开(公告)号：CN214849067U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202121027028.6
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本实用新型公开了一种宽带太赫兹吸波器，从底部至上依次包括金属衬底层、第一介质层、第一方形金属层、第二介质层、第二方形金属层、第三介质层；两层方形金属层被介质层SU‑8光刻胶包围着，SU‑8是一种损耗介质，介电常数为2.79‑0.31i；金属衬底层足够厚，可以阻挡太赫兹波透过。该太赫兹吸波器的不同模式的法布里‑珀罗谐振腔通过谐振腔的间隙与表面等离子体耦合产生宽带吸波的效果。该吸波器结构可以实现良好的吸收效果，其吸收率大于90％的吸收带宽1.74THz。本实用新型价格便宜且吸收效果较好。适用于电磁抗干扰及现代通信系统。
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公开(公告)号：CN212162092U
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202021332185.3
申请日：2020-07-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型公开一种可调谐太赫兹吸波器，从底部向上依次包括金属层、掺杂硅层、钛酸锶(STO)层、石墨烯层；所述掺杂硅层、所述STO层、所述石墨烯层周期性排列在所述金属层上，排列周期小于入射波长。石墨烯在太赫兹波段具有巨大的吸收率，并且在该吸波器上施加电压会改变石墨烯层的化学势，实现吸收振幅调谐；硅作为一种半导体材料，通过外界的光泵浦会改变载流子浓度，实现吸收振幅调谐；STO是一种热敏感材料，通过改变外界温度，实现中心频率调谐。本实用新型通过电、光、热三种调控方式实现吸波器的吸收振幅和中心频率的独立可调。本实用新型结构简单，容易加工，且吸收调谐效果较好。适用于电磁抗干扰及现代通信系统。
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