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公开(公告)号：CN222322111U
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202420873555.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于界面修饰的二维材料的光电探测器，器件包括衬底，氧化层，沟道层，金属电极，界面修饰层。器件制备过程包括如下步骤：依次在P型重掺杂Si衬底上制备SiO2氧化物层、WSe2沟道层、金属电极、Pentacene界面修饰层，得到光电探测器。本实用新型在WSe2二维半导体上蒸镀Pentacene有机材料，WSe2厚度为1‑80纳米，Pentacene的厚度为10‑30纳米，金属电极为金、银或铜，其厚度为20‑100纳米。本实用新型的优点在于：采用Pentacene修饰WSe2沟道层，在光照条件下，Pentacene薄膜中产生的许多光生激子迁移到WSe2并分解成电子和空穴载流子移动到电极两端，从而使光电流增大，并增强了该器件在红光和近红外光区域的光响应度，使其可用于宽光谱近红外光电探测器。
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