一种高发射、高吸收镍-铈复合黑色薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113046801B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202110245543.X

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种高发射、高吸收镍‑铈复合黑色薄膜及其制备方法,属于黑镍薄膜制备技术领域。本发明采用三电极体系在钢基材上通过恒电位沉积制备镍‑铈复合薄膜,反应制得的膜层薄且均匀,克服了传统制备方法直接将CeO2纳米颗粒掺入镀液中使得CeO2无法在电极表面参与化学反应,无法对CeO2颗粒的结构与组成进行有效调控从而造成膜层不均匀的技术难题。本发明制备工艺简单、条件温和、易于操控,制备得到的薄膜膜层厚度薄且均匀,薄膜具有高发射率和高吸收率的效果,扩展了黑镍薄膜在航空航天等领域的应用。

    一种高发射、高吸收镍-铈复合黑色薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN113046801A

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202110245543.X

    申请日:2021-03-05

    Abstract: 本发明公开了一种高发射、高吸收镍‑铈复合黑色薄膜及其制备方法,属于黑镍薄膜制备技术领域。本发明采用三电极体系在钢基材上通过恒电位沉积制备镍‑铈复合薄膜,反应制得的膜层薄且均匀,克服了传统制备方法直接将CeO2纳米颗粒掺入镀液中使得CeO2无法在电极表面参与化学反应,无法对CeO2颗粒的结构与组成进行有效调控从而造成膜层不均匀的技术难题。本发明制备工艺简单、条件温和、易于操控,制备得到的薄膜膜层厚度薄且均匀,薄膜具有高发射率和高吸收率的效果,扩展了黑镍薄膜在航空航天等领域的应用。

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