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公开(公告)号：CN118794915A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410883422.1
申请日：2024-07-03
Applicant: 中国计量大学
IPC: G01N21/3581 , G02B5/00 , G02B6/122 , G01N21/01
Abstract: 本发明属于太赫兹技术领域，提供了一种基于光栅光子晶体缺陷模的太赫兹增强吸收谱器件及其制备方法。该产品包含两个相同的布拉格反射结构和衬底；两个相同的布拉格反射结构中间形成缺陷腔；所述衬底位于缺陷腔中心位置。本发明还提供该器件的制备方法，该器件结构简单，易于设计，占用空间小，便于实验操作；采用塑料材料代替介质材料，降低了制作难度，使该方法具有更强的通用性。将缺陷腔宽度从190um变化到390um，通过改变缺陷腔宽度可以得到一系列谐振峰，从而得到一系列窄带吸收光谱，将窄带吸收光谱的峰值组成包络线为薄膜待测物的增强特征吸收谱，以实现微量待测物的太赫兹指纹检测。
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