一种提高击穿电压的阶梯状AlGaN外延新型AlGaN/GaN-HEMT设计方法

    公开(公告)号:CN107968052A

    公开(公告)日:2018-04-27

    申请号:CN201711189336.7

    申请日:2017-11-24

    Inventor: 陈亮 朱莎露

    Abstract: 本发明涉及一种提高击穿电压的阶梯状AlGaN外延新型AlGaN/GaN-HEMT设计方法。本发明中阶梯状AlGaN外延层新型AlGaN/GaN结构为:50mm的蓝宝石衬底上生长插入200nm厚的AlN插入层,AlN插入层上生长3µm厚GaN缓冲层,25nm厚的Al0.25Ga0.75N外延层则位于GaN缓冲层上;栅极,源极,漏极位于Al0.25Ga0.75N外延层上,在Al0.25Ga0.75N外延层中位于栅极旁边刻蚀了一个深10nm,长3µm的Al0.25Ga0.75N外延层沟槽,形成阶梯状AlGaN外延层;栅极与源极之间的距离为1µm,栅极与漏极之间的距离为5µm,栅长为1.5µm。本发明公开的一种提高击穿电压的阶梯状AlGaN外延新型AlGaN/GaN-HEMT设计方法能降低栅边缘的二维电子气浓度,使均匀分布的浓度成为从栅边缘到漏电极阶梯分布,降低了栅边缘的高峰电场,将传统的AlGaN/GaN-HEMTs器件的击穿电压从466V提高到640V,大大提高了HEMT器件的性能。

    一种多重周期的光子晶体纳米裂缝表面等离子体共振光栅

    公开(公告)号:CN107390311A

    公开(公告)日:2017-11-24

    申请号:CN201710572595.1

    申请日:2017-07-11

    CPC classification number: G02B5/1809 G02B5/1857 G02B5/1866 G02B2005/1804

    Abstract: 本发明涉及一种多重周期的光子晶体纳米裂缝表面等离子体共振光栅,属于光学衍射光栅检测领域。该光栅结构从上至下,依次由金膜层,氮化硅材料层和玻璃底片组成。刻蚀的光栅线通过小周期p和大周期P周期性地有规律排列。小周期p即小间距的相邻间隔光栅线之间的距离420nm,便于产生表面等离子体共振;大周期为五条光栅线的距离2100nm,移除其中一条小周期光栅线而形成,便于将表面等离子体共振波进行衍射和角色散。光源经过玻璃层和氮化硅层在金膜层处产生表面等离子体共振,其共振波的一级衍射被CCD检测。本发明在光学,生化传感等检测领域中将有极大的作用,比传统的光谱检测方法更简便全面,减少了生物传感器的成本和仪器尺寸。

    一种集多元通讯的LED植物促生长智能照明控制系统

    公开(公告)号:CN207652720U

    公开(公告)日:2018-07-24

    申请号:CN201720026432.9

    申请日:2017-01-05

    Abstract: 一种集多元通讯的LED植物促生长智能照明控制系统,属于LED智能照明控制领域,包括远程控制中心(一)、集中控制器模块(二)、补光终端(三)和LED电路(四)四部分组成,远程控制中心通过以太网模块、通讯扩展上行模块与集中控制器模块进行控制信号的传输和信息的反馈;集中控制器模块对控制信号进行处理并反馈回远程控制中心,并通过下行电力载波模块、下行总线通讯模块与补光终端进行控制命令的传输与信息的反馈;补光终端通过调光模块对LED电路进行控制,通过采光器模块将LED灯发出的光信息反馈给集中控制器模块。可根据需要使用不同的通讯模式,满足不同场合的重构需求,增加了实用性。

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