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发明公开
一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118981065A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202411067317.7

申请日：2024-08-06

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李向军 , 徐泽堃 , 严德贤 , 陈东哲

IPC: G02B5/00 , G02B1/00

Abstract: 本发明提供了一种基于一维缺陷光子晶体堆叠的太赫兹吸收谱器件及其制备方法，属于太赫兹技术领域。从上至下为交替层叠的光栅层和缺陷一维光子晶体层；最外侧为光栅层；单独的缺陷一维光子晶体层中包含两个完全相同的布拉格反射结构；两个完全相同的布拉格反射结构呈对称分布；两个完全相同的布拉格反射结构之间为缺陷腔；单独布拉格反射结构为交替层叠的硅层和空气层；最外侧为硅层；缺陷腔的宽度从上至下依次递减；缺陷腔中心位置竖直设置有衬底；衬底单侧表面涂覆有薄膜分析层。本发明提供的器件能够鉴别0.1μm厚的薄膜分析层，吸收增强因子为303倍，在0.49～0.57THz宽频段简单有效地检测微量分析物。

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