Patent search ap:("中国计量大学") AND inv:"周苗" Page 1

1.

发明公开
一维与二维碲纳米结构的自下而上式可控制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118028740A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410099576.1

申请日：2024-01-24

Applicant: 中国计量大学

Inventor： 李桃桃 , 牛天超 , 陈苗根 , 周苗 , 郑毅

IPC: C23C14/06 , C23C14/02 , C23C14/22 , C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一维与二维碲纳米结构的自下而上式可控制备方法。所述方法以Si(111)、云母、SiO2等作为衬底，碲的前驱体为颗粒状单质，通过物理气相沉积和分子束外延的自下而上式生长方法沉积在具有特定温度的衬底表面，获得具一维与二维碲纳米结构。本发明可用多种材料作衬底且可调节沉积时的衬底温度实现一维与二维碲纳米结构的可控制备，制得的低维碲在电子器件中具有潜在应用价值。

Patent Agency Ranking