一种基于全介质编码超表面的太赫兹波束调控器

    公开(公告)号:CN113364529A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110748678.8

    申请日:2021-07-02

    Inventor: 肖丙刚 刘金荣

    Abstract: 本发明涉及一种基于全介质编码超表面的太赫兹波束调控器,属于人工电磁超材料领域。该超材料表面由不同尺寸的3D硅结构单元组成,通过改变编码模式可以改变反射波的数量和反射角度。通过1bit编码我们可以实现二分束器和四分束器,并同时可以调控波束方向θ。通过2bit编码我们可以实现单束电磁波不同方向的调控。

    一种基于3D打印的全介质超材料多频段完美吸波器

    公开(公告)号:CN112582802A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011084121.0

    申请日:2020-10-12

    Inventor: 肖丙刚 刘金荣

    Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印的全介质超材料段频段完美吸收阵列,属于人工电磁超材料吸波领域。一种基于3D打印的全介质超材料多频段完美吸波器,阵列的单元结构由三个正交并且相差60度的“工”型介质结构组成,使用ABS作为该超材料吸波阵列的介电材料,底部使用PEC材料阻挡电磁波,使得电磁波只有反射没有透射。该吸波器重量轻、体积小、成本低、易制备。在8GHZ‑18GHZ实现10个低于‑10dB(行业标准)的吸收峰,最强达到‑25dB。此外,由于该结构具有旋转对称性,吸波器对极化不敏感。

    一种基于硅和二氧化钒全介质超材料的多频带可调吸波器

    公开(公告)号:CN113193381A

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202110497432.8

    申请日:2021-05-07

    Inventor: 肖丙刚 刘金荣

    Abstract: 本发明公开了一种基于硅和二氧化钒全介质超材料的多频带可调吸波器,属于电磁吸波超材料领域。本发明为了用于电磁屏蔽和雷达隐身并且克服金属吸波器的固有问题,我们提出一种基于硅和二氧化钒的全介质超材料多频段可调吸波器,可以在X波段(8‑12GHz)产生7个S11参数为‑10dB(行业标准)以下的吸收峰。最低峰值达到‑35dB,电磁波吸收率大于99%。通过在底部设计的二氧化钒层,可以通过温度的改变调整吸波大小和频率。

    一种基于SSPPs与SIW的宽频带带通滤波器

    公开(公告)号:CN216015651U

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202121342687.9

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 主要工作是设计了一种基于人工表面等离子体激元(SSPPs)和基片集成波导(SIW)的宽频带带通滤波器。利用刻蚀周期性不连续的H型凹槽结构的金属层构造SSPPs波导,同时结合SIW结构在波导传播方向形成强耦合,并以周期性排列的金属通孔限制信号的传播。所设计的带通滤波器通带为12.7‑28.2GHz,通带内的插入损耗小于3.5dB,最大损耗为3.23dB,带外抑制深度均超过‑23dB,最大达到‑61dB以上。所设计的滤波器通带能覆盖n258频段,带外抑制深度大,阻带抑制能力较强,尺寸小易于加工,在微波通信领域中有较好的应用前景。

    一种基于全介质编码超表面的太赫兹波束调控器

    公开(公告)号:CN216648610U

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202121519373.1

    申请日:2021-07-05

    Inventor: 刘金荣 肖丙刚

    Abstract: 本发明涉及一种基于全介质编码超表面的太赫兹波束调控器,属于人工电磁超材料领域。该超材料表面由不同尺寸的3D硅结构单元组成,通过改变编码模式可以改变反射波的数量和反射角度。通过1bit编码我们可以实现二分束器和四分束器,并同时可以调控波束方向θ。通过2bit编码我们可以实现单束电磁波不同方向的调控。

    一种基于FR4全介质电磁超材料的频率选择器

    公开(公告)号:CN216015715U

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202121505928.7

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种基于FR4全介质电磁超材料的频率选择器,属于电磁吸波超材料领域。本发明为了用于电磁屏蔽和雷达隐身并且克服金属吸波器的固有问题,我们提出一种基于FR4材料的全介质超材料完美可调频率选择器,可以在19.67GHz频率下产生S11参数为‑20dB以下的吸收峰。电磁波吸收率大于90%。

    一种基于3D打印的全介质超材料多频段完美吸波阵列

    公开(公告)号:CN213636313U

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202022254123.1

    申请日:2020-10-12

    Inventor: 刘金荣 肖丙刚

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于3D打印的全介质超材料段频段完美吸收阵列,属于人工电磁超材料吸波领域。一种基于3D打印的全介质超材料多频段完美吸波器,阵列的单元结构由三个正交并且相差60度的“工”型介质结构组成,使用ABS作为该超材料吸波阵列的介电材料,底部使用PEC材料阻挡电磁波,使得电磁波只有反射没有透射。该吸波器重量轻、体积小、成本低、易制备。在8GHZ‑18GHZ实现10个低于‑10dB(行业标准)的吸收峰,最强达到‑25dB。此外,由于该结构具有旋转对称性,吸波阵列对极化不敏感。

    基于人工表面等离子体激元和SIW的带通滤波器

    公开(公告)号:CN215342904U

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202121351471.9

    申请日:2021-06-17

    Abstract: 一种基于人工表面等离子体激元和SIW带通滤波器通过在人工表面等离子体激元波导上蚀刻有周期性上下交叠的T字型槽结构,在SIW波导传播方向上用金属通孔来限制信号的传播,得到高频段内的带通滤波器。本章中对波导上蚀刻有周期性上下交叠的T字型槽结构及金属通孔的参数进行分析与讨论。如附图所示。所设计的带通滤波器的通带为15.05—25.13GHz,通带内的插入损耗小于3.5dB、带外抑制深度均超过‑45dB,最大达到‑55dB。该滤波器为三维平面结构,结构紧凑、易于制作,在未来人工表面等离子体在微波器件中有很好的应用。

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