公开(公告)号：CN105480940A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510900078.3

申请日：2015-12-08

Applicant: 中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所

Inventor： 朱国勤 ,  朱振宇 ,  孙浩林

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B1/001 ,  B82B3/0019 ,  B82B3/0066 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种三维纳米节距样板及其制备方法，属于纳米计量技术领域。其特征在于：所述的节距样板材料选用Si(100)单晶结构基底材料与高纯度成膜Cr材料(＞99％)，采用分子束外延技术实现Cr原子在Si(100)基底上的层状结构生长，利用刻蚀技术获得相应的纳米节距结构，然后再次进行外延生长，实现节距样板的研制。本发明从原子层面解决了当前纳米节距样板制备过程不易控制以及制备方法可复现性差的问题，并且由于成膜原子按照层状结构模式生长，不仅可保留刻蚀后的表面界面结构，还可以保持刻蚀的结构深度，消除刻蚀对侧向节距结构的影响，解决Z向刻蚀的不可控问题，实现研制过程对样板三维节距的纳米级控制，为我国纳米节距标准样板提供一种可行的研制方法。