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公开(公告)号：CN109884515A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910148038.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/311
Abstract: 本发明一种微光显微镜偏置装置，包括外部电源、上位机、处理器、双通道测试工位、多阵列拨码开关、系统接口和驱动模块；外部电源对被测器件、测试模块和驱动模块供电；上位机发送控制信号给处理器，处理器对控制信号进行处理得到电压信号，之后通过系统接口发送给驱动模块，驱动模块同时对双通道测试工位及多阵列拨码开关进行选通及控制，每个通道均通过拨码开关提供多种偏置电压及测试模式，用于微光显微镜中集成电路缺陷的定位和失效的检查。本发明能够对微光显微镜中的器件提供特定的偏置条件，运行真值表测试文件和按照测试向量对器件进行功能测试，并且能够进行单步执行、固定偏置绑定以及测试程序循环等模式的偏置和测试。
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公开(公告)号：CN103149097B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310072934.1
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01N3/14
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件管脚引线拉力测试装置，包括元器件本体夹具、万向节、移动平台、控制装置、驱动装置、螺杆和砝码；所述元器件本体夹具用于夹紧元器件本体；所述万向节夹紧管脚引线和容纳砝码；所述移动平台通过垂直升降带动管脚引线夹具和砝码垂直升降来加载和释放施加在管脚引线上的力；所述驱动装置用于驱动螺杆转动带动所述移动平台垂直升降；所述控制装置用于控制所述驱动装置运动。本测试装置能够加载不同的拉力，能根据需要选择定时时间，方便携带，操作简便。
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公开(公告)号：CN103151259A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310072231.9
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/311 , H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种芯片钝化层去除方法，包括以下步骤：获得芯片钝化层成分及厚度；对芯片以外的其他器件区域进行保护；判断芯片最表面钝化层的成分；将处理后的芯片重新通过光学显微镜或能谱仪进行检查，查看芯片表面是否还有钝化层及其成分；如果还有钝化层，则重复上述步骤进行处理，最后清洗芯片；本发明综合考虑了不同成分钝化层的去除方式不同，有针对性地采用了不同的方法来去除芯片钝化层，使得芯片钝化层去除效果良好，能达到对各种钝化层材料及组合材料的去除都适宜。
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公开(公告)号：CN103149097A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310072934.1
申请日：2013-03-07
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01N3/14
Abstract: 本发明公开了一种电子元器件管脚引线拉力测试装置，包括元器件本体夹具、万向节、移动平台、控制装置、驱动装置、螺杆和砝码；所述元器件本体夹具用于夹紧元器件本体；所述万向节夹紧管脚引线和容纳砝码；所述移动平台通过垂直升降带动管脚引线夹具和砝码垂直升降来加载和释放施加在管脚引线上的力；所述驱动装置用于驱动螺杆转动带动所述移动平台垂直升降；所述控制装置用于控制所述驱动装置运动。本测试装置能够加载不同的拉力，能根据需要选择定时时间，方便携带，操作简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112541321B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202011507458.8
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/398 , G06F119/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种宇航密封集成电路早期筛查与风险预示方法及装置。所述方法包括：确定宇航密封集成电路的背景信息，依据背景信息对宇航密封集成电路进行物理解剖成多个单元；对解剖后的多个单元进行性能分析；确定宇航密封集成电路的最小独立要素；对各最小独立要素进行分析，并确定第一分析结果；将至少两个最小独立要素进行组合后分析，确定第二分析结果；基于宇航密封集成电路的应用环境，依据第一分析结果和第二分析结果确定宇航密封集成电路的风险等级。本发明能有效规避早期设计问题，在结构可靠性基因层面为器件把好关，可在早期预示现有试验方法无法暴露的问题，提高器件的自身固有可靠性。
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公开(公告)号：CN114476276A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111642726.1
申请日：2021-12-29
Applicant: 中国空间技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种轴向引线二极管芯片无损开封方法，通过二极管辅助固定夹具将带封装的二极管按照特定方向进行固定，并对带封装的二极管进行磨切，以采用物理方法去除带封装的二极管的特定部位；然后，通过特定的无损开封方法将二极管芯片从封装体中无损取出，可有效避免在取出二极管芯片过程中对芯片造成的任何损伤，并去除芯片表面的金属化，直观的检查硅芯片表面的质量状态和缺陷情况，为DPA、FA等可靠性分析工作中的芯片检查提供技术途径。
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公开(公告)号：CN108318304B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201810098852.7
申请日：2018-01-31
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01N1/28 , G01N21/956
Abstract: 一种宇航用PCBA有效剖面制备及损伤检测方法，本方法选用一种利于观察分析的显色制样方法包括切割，封片，研磨及抛光四个步骤。基于传统磨抛方法的前提下，结合构成PCBA剖面试样材料硬度差异较大的实际情况，形成有效的剖面研磨抛光流程，获得利于观察焊点缺陷的清晰剖面，通过金像分析、表面处理、扫描电子显微镜观察及能谱分析等方法，明确焊点的实际状态，便于发现已存在缺陷，针对无明显缺陷的试样形成便于观察焊点晶粒状态的表面处理方法，明确可能存在的缺陷隐患。
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公开(公告)号：CN109884515B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201910148038.6
申请日：2019-02-28
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/311
Abstract: 本发明一种微光显微镜偏置装置，包括外部电源、上位机、处理器、双通道测试工位、多阵列拨码开关、系统接口和驱动模块；外部电源对被测器件、测试模块和驱动模块供电；上位机发送控制信号给处理器，处理器对控制信号进行处理得到电压信号，之后通过系统接口发送给驱动模块，驱动模块同时对双通道测试工位及多阵列拨码开关进行选通及控制，每个通道均通过拨码开关提供多种偏置电压及测试模式，用于微光显微镜中集成电路缺陷的定位和失效的检查。本发明能够对微光显微镜中的器件提供特定的偏置条件，运行真值表测试文件和按照测试向量对器件进行功能测试，并且能够进行单步执行、固定偏置绑定以及测试程序循环等模式的偏置和测试。
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公开(公告)号：CN106814093A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201611194019.X
申请日：2016-12-21
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01N23/203 , G01N23/225 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01N1/34
CPC classification number: G01N23/203 , G01N1/286 , G01N1/32 , G01N1/34 , G01N23/2251 , G01N2001/2866 , G01N2223/053 , G01N2223/0565
Abstract: 本发明一种宇航用镍电极瓷介电容器可靠度确定方法，在不改变原有晶粒状态条件下，对电容器介质层晶粒尺寸进行精确测量，在此基础上对电容器可靠度进行计算。首先采用低应力磨抛技术进行剖面制备，获得无应力残留的样品表面；然后采用电子背散射衍射分析EBSD技术对样品进行分析，确定陶瓷介质晶粒相的类别，并采集样品表面晶粒分布图，从而对陶瓷介质晶粒尺寸进行精确测量；最后，结合介质层数、介质层厚度、工作电压系数等参数，对电容器可靠度进行计算，得到电容器可靠度。
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