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公开(公告)号：CN100439525C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510047728.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域，特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法，包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金，将镁合金加热至700～730℃温度下熔化，加入占镁合金质量5～30%的碳化硅颗粒，然后降至550℃～650℃的温度，再加入占镁合金和碳化硅总质量2～20%的碳酸镁粉，碳酸镁粉高速搅拌时间为1～10分钟，发泡温度为550℃～650℃，发泡结束后移出发泡炉，冷却降温，切割成材。本发明工艺条件稳定，操作控制准确，制出的泡沫镁产品孔径均匀，可生产不同密度，不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单，适合于较大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN100362124C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200510046261.8
申请日：2005-04-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C22C23/00
Abstract: 本发明涉及一种提高镁合金力学性能的制备方法，特别提供了一种加钙阻燃镁合金的磁场制备方法，该方法采用对镁合金添加钙进行合金化阻燃，熔炼时钙加入量是镁合金重量的2-5%，以阻止镁合金熔炼和浇注时的氧化和燃烧，并使镁合金熔体在0.2-1.0T的磁场下凝固，从而阻止镁合金熔炼和浇注时的氧化和燃烧，并提高镁合金的强度和塑性；本发明装置简单，操作方便，能显著提高镁合金的室温和高温力学性能。
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公开(公告)号：CN1670227A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200410021408.3
申请日：2004-03-17
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及铸轧凝固组织变形性能控制技术，具体为一种控制铸轧凝固组织变形性能的方法，利用铸轧带钢凝固组织尺寸与其变形性能关系的经验数学模型来指导选择铸轧工艺参数以控制凝固组织变形性能，数学模型是指：铸轧凝固组织冷轧最大变形率与该组织中等轴晶的含量和平均晶粒直径的数学关系式。数学模型的参数可根据铸轧带钢的实验或相关资料数据，用计算机非线性优化方法求得。数学模型可以用来描述铸轧凝固组织形貌尺寸与其变形性能的定量关系，以此为指导通过改变铸轧工艺条件来控制凝固组织，进而控制该组织的变形性能。采用本发明控制铸轧凝固组织变形性能，简单有效、省工省时、误差较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100531966C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200410087675.0
申请日：2004-11-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B22D27/02
Abstract: 本发明涉及一种半固态金属浆料或坯料的低电压脉冲电场制备方法及专用设备。制备方法：先将合金熔化并在保温坩埚内保温，合金熔体的上下两端分别与脉冲电源输出端的正负极相联，当凝固开始前，启动脉冲电源，对合金熔体进行脉冲放电，施加脉冲电场。专用设备：由脉冲电场发生装置、脉冲电场作用装置和加热保温装置三个部分组成，脉冲电场发生装置产生的脉冲电流通过脉冲电场作用装置施加到置于加热保温装置的合金熔体上。根据合金种类和成分的不同，调整脉冲放电电压、放电时间和脉冲频率，并控制合金在脉冲放电期间的凝固速度，最后得到初生相为球状或颗粒状的非枝晶半固态合金坯料或浆料，可用在金属半固态合金制备和成形的生产中。
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公开(公告)号：CN1847431A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200510046261.8
申请日：2005-04-15
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: C22C23/00
Abstract: 本发明涉及一种提高镁合金力学性能的制备方法，特别提供了一种加钙阻燃镁合金的磁场制备方法，该方法采用对镁合金添加钙进行合金化阻燃，熔炼时钙加入量是镁合金重量的2－5％，以阻止镁合金熔炼和浇注时的氧化和燃烧，并使镁合金熔体在0.2－1.0T的磁场下凝固，从而阻止镁合金熔炼和浇注时的氧化和燃烧，并提高镁合金的强度和塑性；本发明装置简单，操作方便，能显著提高镁合金的室温和高温力学性能。
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公开(公告)号：CN1966748A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510047728.0
申请日：2005-11-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域，特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法，包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金，将镁合金加热至700～730℃温度下熔化，加入占镁合金质量5～30％的碳化硅颗粒，然后降至550℃～650℃的温度，再加入占镁合金和碳化硅总质量2～20％的碳酸镁粉，碳酸镁粉高速搅拌时间为1～10分钟，发泡温度为550℃～650℃，发泡结束后移出发泡炉，冷却降温，切割成材。本发明工艺条件稳定，操作控制准确，制出的泡沫镁产品孔径均匀，可生产不同密度，不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单，适合于较大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN1778496A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200410087675.0
申请日：2004-11-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
IPC: B22D27/02
Abstract: 本发明涉及一种半固态金属浆料或坯料的低电压脉冲电场制备方法及专用设备。制备方法：先将合金熔化并在保温坩埚内保温，合金熔体的上下两端分别与脉冲电源输出端的正负极相联，当凝固开始前，启动脉冲电源，对合金熔体进行脉冲放电，施加脉冲电场。专用设备：由脉冲电场发生装置、脉冲电场作用装置和加热保温装置三个部分组成，脉冲电场发生装置产生的脉冲电流通过脉冲电场作用装置施加到置于加热保温装置的合金熔体上。根据合金种类和成分的不同，调整脉冲放电电压、放电时间和脉冲频率，并控制合金在脉冲放电期间的凝固速度，最后得到初生相为球状或颗粒状的非枝晶半固态合金坯料或浆料，可用在金属半固态合金制备和成形的生产中。
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公开(公告)号：CN2751275Y
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN200420055203.2
申请日：2004-11-26
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本实用新型涉及半固态合金制备技术，具体为一种半固态合金脉冲电场制备装置，由脉冲电场发生系统、脉冲电场作用系统和加热保温系统三个部分组成，由脉冲电场发生系统产生的脉冲电流通过脉冲电场作用系统施加到合金熔体上并通过加热保温系统控制合金熔体的凝固速度来实现半固态合金的制备。本实用新型充分发挥了脉冲电场对金属凝固组织的控制作用并且体积小、成本低、充电电压低、安全可靠，适用于实验室科学研究和工业生产应用脉冲电场制备半固态合金。
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