公开(公告)号：CN117913169A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311731761.X

申请日：2023-12-15

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 冯顺 ,  韩如月 ,  刘驰 ,  孙东明 ,  成会明

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及纳米半导体材料光电探测器的研发与应用领域，具体为一种双电容光电晶体管及其制作方法。双电容光电晶体管是由具有串联结构的感光电容和静电调制电容构成，其中感光电容从下到上依次由感光半导体、氧化物和金属盘组成；静电调制电容从下到上依次由栅极、栅极绝缘层、沟道层组成；感光电容上层的金属盘与静电调制电容下层的栅极通过金属线连接。本发明通过电荷耦合效应，感光电容中感光半导体产生的光生载流子将在静电调制电容的栅极中诱导出相同类型的载流子，并改变沟道层的电导。取决于静电调制电容中栅极绝缘层的厚度，器件可实现对静态或动态光信号的探测功能。

公开(公告)号：CN111969076B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202010773184.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 刘驰 ,  冯顺 ,  孙东明 ,  成会明

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及新型纳米半导体材料光电晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法。二硫化钼(MoS2)因具有优异的光吸收效率和高稳定性而被认为是实现光电晶体管的最具前途的二维纳米材料之一，并且可以和氧化钼(α‑MoO3‑x)形成具有理想界面的二维材料异质结。本发明基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管，其源端α‑MoO3‑x/MoS2异质结可以通过积累空穴改变能带结构，从而产生光增益，增强光生电流，同时漏端异质结通过提供更多空穴进一步增强光增益，使得晶体管具有大的响应度、明暗电流比和外量子效率，得到迄今为止MoS2探测器报道的最高探测度。

公开(公告)号：CN116469955A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202210028677.0

申请日：2022-01-11

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 刘驰 ,  冯顺 ,  韩如月 ,  孙东明 ,  成会明

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及纳米半导体材料光电探测器和光电存储器的研发与应用领域，具体为一种光电器件光控二极管及其制作方法。光控二极管是由六方氮化硼(h‑BN)保护层、石墨烯电极、二硫化钼(MoS2)n‑n‑结、h‑BN光栅层和栅极介质层组成。基于以MoS2n‑n‑结和h‑BN为光栅层异质结构的光控二极管，能够实现光照下电流状态由关态到整流态转换，因而在集成时不需要外部的选通器件。随着h‑BN光栅层厚度增加，光控二极管由单一功能的光电探测器变为多功能的光电存储器。基于光控二极管的光电存储器具备弱光探测、非易失性高响应度、长时间存储等功能；并且，制作了没有任何外部选择器的光电存储阵列，演示了图像存储和信息处理功能。

公开(公告)号：CN111969076A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010773184.0

申请日：2020-08-04

Applicant: 中国科学院金属研究所

Inventor： 刘驰 ,  冯顺 ,  孙东明 ,  成会明

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及新型纳米半导体材料光电晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法。二硫化钼(MoS2)因具有优异的光吸收效率和高稳定性而被认为是实现光电晶体管的最具前途的二维纳米材料之一，并且可以和氧化钼(α-MoO3-x)形成具有理想界面的二维材料异质结。本发明基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管，其源端α-MoO3-x/MoS2异质结可以通过积累空穴改变能带结构，从而产生光增益，增强光生电流，同时漏端异质结通过提供更多空穴进一步增强光增益，使得晶体管具有大的响应度、明暗电流比和外量子效率，得到迄今为止MoS2探测器报道的最高探测度。