公开(公告)号：CN118366004A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410454808.0

申请日：2024-04-16

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 申钧 ,  胡杰 ,  李豪洲 ,  杨旗 ,  杨冬

IPC: G06V10/82 ,  G06V10/774 ,  G06V10/764 ,  G06V10/94

Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯的双波段光电探测器的图像识别方法，该神经网络由双波段探测器构成的阵列实现，利用两种不同波段的光来调节石墨烯费米能级，进而对探测器的单元器件的光响应度进行调节，以阵列中各器件的响应度作为神经网络的权重，通过训练找到最合适的光响应度矩阵，通过对输出电流的区分以实现对图像的识别，通过传感器阵列来实现了神经网络。本发明结合基于石墨烯的双波段探测器，器件的光响应度能够在光调制下由负到正转换，能够基于硬件实现神经网络，且能在传感器中实现感存算一体，具有较强实用性。

公开(公告)号：CN118032134A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410169350.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 重庆邮电大学 ,  中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 彭阳 ,  杨旗 ,  翁上进 ,  杨俊 ,  张永娜 ,  史浩飞 ,  魏兴战

IPC: G01J5/34

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化物薄膜界面调控的非制冷长波红外探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该探测器包括：热释电衬底；形成于热释电衬底表面的第一钝化层；形成于第一钝化层表面的图案化电极层；形成于图案化电极层表面以及图案化电极层的图案化电极之间的电调控层，同时，图案化电极之间的电调控层与第一钝化层表面接触；还包括形成于电调控层表面且包裹电调控层的第二钝化层。本发明通过氧化物薄膜起到了钝化界面的效果，同时将器件封装起来，可提高器件的稳定性；此外，热释电衬底与电调控层之间的氧化物可以有效减少两者间的接触面积且不影响载流子输运，从而减少非辐射复合，有利于实现热释电衬底高效率调制电调控层的沟道电导。

公开(公告)号：CN119170686A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411278933.7

申请日：2024-09-12

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ,  重庆大学

Inventor： 陈惠 ,  邵丽 ,  汤林龙 ,  魏兴战 ,  聂长斌 ,  张之胜 ,  杨旗 ,  史浩飞

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，公开一种红外探测器及其制备方法，包括衬底，金属敏感膜、光吸收增强结构以及电流传输结构；所述光吸收增强结构包括肖特基结，所述肖特基结通过在硅基底蚀刻出的阵列化图案，阵列图案中灌满金属，硅基底与金属接触形成肖特基结，且肖特基界面进行粗糙化处理以增强热电子吸收；所述电流传输结构包括硅基底、P型导电结构、N型导电结构和介质材料，所述光吸收增强结构生产的电流分别从P型和N型导电结构导出。本发明通过将肖特基界面进行粗糙化处理以增强热电子吸收，采用背照式入射方法，缩短热电子传输自由程，用以提升探测器量子效率。

公开(公告)号：CN110957396B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911317964.8

申请日：2019-12-19

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 申钧 ,  高恺聪 ,  杨旗 ,  韩钦 ,  冯双龙 ,  周大华 ,  魏兴战 ,  史浩飞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明一种零偏压工作石墨烯光电器件及其制备方法，包括以下步骤：（1）利用化学气相沉积法生长制备石墨烯薄膜；（2）转移所述石墨烯薄膜至预先制备的氧化衬底表面；（3）在所述石墨烯薄膜表面图案化形成石墨烯条带结构；（4）在所述石墨烯条带结构的两端沉积金属形成两个金属电极；（5）在所述石墨烯条带结构表面进行量子点图案化。通过此制备方法得到的一种能在没有外接偏压下工作的石墨烯光电器件，有效避免石墨烯光电器件在偏压下工作时会产生极大的暗电流，影响器件的寿命和测量精度的问题，通过将量子点精确的覆盖在我们想要的区域，工艺流程简单，与半导体微纳技术紧密结合，具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN117908173A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202410242052.3

申请日：2024-03-04

Applicant: 重庆邮电大学 ,  中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 翁上进 ,  张永娜 ,  杨旗 ,  魏兴战 ,  杨俊 ,  史浩飞

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明涉及一种基于铌酸锂的宽光谱长波红外超材料吸收器，属于电磁波吸收技术领域。该超材料吸收器包括从下至上依次层叠的底部金属层、第一介质层、第二介质层和顶部金属层。其中，顶部金属层包括金属框和四个方形金属谐振器，方形金属谐振器对称地排列在金属框中。底部金属层和顶部金属层用于构成谐振腔以捕获入射光。第一介质层和第二介质层用于为超材料吸收器提供足够的折射率实部，提高超材料吸收器的吸收率。本发明对表面方形谐振器十分敏感，可以通过改变方形金属谐振器的尺寸来改变共振波长，满足不同波段的吸收任务，同时，本发明也可以通过将不同大小的方形金属谐振器组合以拓宽吸收光谱。

公开(公告)号：CN110957396A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201911317964.8

申请日：2019-12-19

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 申钧 ,  高恺聪 ,  杨旗 ,  韩钦 ,  冯双龙 ,  周大华 ,  魏兴战 ,  史浩飞

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明一种零偏压工作石墨烯光电器件及其制备方法，包括以下步骤：(1)利用化学气相沉积法生长制备石墨烯薄膜；(2)转移所述石墨烯薄膜至预先制备的氧化衬底表面；(3)在所述石墨烯薄膜表面图案化形成石墨烯条带结构；(4)在所述石墨烯薄膜表面的两端沉积金属形成两个金属电极；(5)在所述石墨烯薄膜经图案化的表面进行量子点图案化。通过此制备方法得到的一种能在没有外接偏压下工作的石墨烯光电器件，有效避免石墨烯光电器件在偏压下工作时会产生极大的暗电流，影响器件的寿命和测量精度的问题，通过将量子点精确的覆盖在我们想要的区域，工艺流程简单，与半导体微纳技术紧密结合，具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN116337222A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310163335.4

申请日：2023-02-24

Applicant: 中国科学院重庆绿色智能技术研究院

Inventor： 申钧 ,  李豪洲 ,  杨旗 ,  杨冬

IPC: G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的双波段探测器的增益调制方法。该调制方法为加入两种不同波长的入射光，利用光吸收层对不同波长的入射光吸光度不同，达到不同的光学效应来实现垂直异质结内建场的抑制或促进，改变石墨烯的费米能级，进而对原始光信号响应度进行调制。通过观察调制后两种信号的响应度能明显辨别。本发明结合基于石墨烯的双波段探测器，不仅能够同时实现对不同波段的光分别响应，同时能大幅度提高响应度，而且调制方法简单，具有较强实用性。