-
公开(公告)号：CN119676930A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510061774.3
申请日：2025-01-15
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及极高真空获得技术领域，尤其涉及一种降低铁氧体表面出气率的工艺。本发明的工艺包括步骤S1前处理、步骤S2高温除气和步骤S3后处理；其中，步骤S2高温除气包括：将铁氧体放置于除气炉中；将除气炉抽真空；启动除气炉的加热系统，将铁氧体以1‑2℃/min的升温速率升温到500‑600℃保温0.5‑1h，再以1‑2℃/min的升温速率升温850‑900℃保温1‑2h，然后以1‑2℃/min的降温速率降温到300‑500℃，关闭加热系统，使铁氧体随炉冷却。本发明的工艺可有效降低铁氧体表面出气率，使铁氧体能够用于10‑10Pa的极高真空系统，同时能够避免铁氧体在除气过程中出现裂纹损坏的情况。
-
公开(公告)号：CN119274838A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411228350.3
申请日：2024-09-03
Applicant: 先进能源科学与技术广东省实验室 , 中国科学院近代物理研究所
IPC: G21G1/00
Abstract: 本发明属于反应物收集相关技术领域，尤其涉及多核子转移反应传输装置及多核子转移反应设备。通过在机台设置有转动台和转动组件，驱动电机与转动组件驱动连接，进而使得旋转板沿转动台转动，在此基础上，设置管道组件，其中包括依次连接的固定室、形变室、以及收集室，固定室固定设置在机台上，收集室固定设置在旋转板上，以使得收集室转动收集由固定室发射的反应物。通过上述方式，进而实现对多核子转移的反应物在多角度收集和传输，并可通过收集室发送多核子转移产物至下一级设备，实现多核子转移的反应物高效收集，同时也能为多核子转移的反应物的测试实验装置提供多角度的反应物收集方式。
-
公开(公告)号：CN116133225B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211092747.5
申请日：2022-09-08
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
IPC: H05H7/18
Abstract: 本发明涉及一种超薄壁金属内衬真空腔室的制作方法，包括如下步骤：零件加工：通过将真空腔室模具放置在架台上对半结构的超薄壁真空腔室进行加工；通过3D打印对金属内衬进行制作，通过数控加工中心对法兰进行加工；表面净化：通过有机溶剂清洗和超声波清洗的方式对半结构的超薄壁真空腔室、金属内衬和法兰进行清洗并烘干；装配：将若干个金属内衬放入两个半结构的超薄壁真空腔室之间，将两个分离的半结构的超薄壁真空腔室采用若干个夹具夹紧；焊接：将用夹具夹紧的两个半结构的超薄壁真空腔室进行焊接；将两个加工好的法兰焊接在完整的超薄壁真空腔室的两端；检漏：利用氦质谱检漏法检测焊接部位是否漏气。
-
公开(公告)号：CN115386848B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202210949866.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用。所述多靶直流磁控溅射装置的结构：镀膜室内于底部上工件架，工件架的上部设有第一至第五靶材、离子源、加热管；镀膜室的顶部设有三流量计；真空抽气系统包括粗抽系统和精抽系统，用于对镀膜室抽真空；测量系统包括设于镀膜室上的第一热电偶传感器和第二热电偶真空计；控制系统包括第一热电偶真空计控制单元、第一分子泵控制器、第一至第五溅射靶材电源、第一离子源电源和第一偏压电源。利用本发明多靶直流磁控溅射装置在大尺寸异形氧化锆陶瓷表面沉积多层金属膜，实现对氧化锆陶瓷的表面改性，可以降低氧化锆陶瓷表面放气率、解析率，同时使其具有较高的导电率。
-
公开(公告)号：CN115921899A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310220530.6
申请日：2023-03-09
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
IPC: B22F10/28 , B22F10/366 , B22F1/052 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本发明公开了一种钛合金薄壁加强筋极高真空室的制作方法。所述制作方法包括如下步骤：在基材表面铺洒钛合金粉末，根据3D打印模型，进行SLM成型，则在基材表面得到薄壁真空腔室；退火热处理后与基材分离；按照步骤1）或2）即得钛合金薄壁加强筋极高真空室：1）对薄壁真空腔室两端的法兰进行加工；2）在薄壁真空腔室的一端加工法兰，再将若干段薄壁真空腔室焊接。本发明将加强筋与薄壁通过打印一体成型，完美解决传统薄壁加强筋与薄壁焊缝多、极高真空室焊缝泄漏及高温烘烤钎焊加强筋容易脱落等问题。本发明钛合金薄壁加强筋极高真空室能够有效减小磁铁气隙，大幅度降低磁铁造价及磁铁电源运维成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115386848A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210949866.1
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用。所述多靶直流磁控溅射装置的结构：镀膜室内于底部上工件架，工件架的上部设有第一至第五靶材、离子源、加热管；镀膜室的顶部设有三流量计；真空抽气系统包括粗抽系统和精抽系统，用于对镀膜室抽真空；测量系统包括设于镀膜室上的第一热电偶传感器和第二热电偶真空计；控制系统包括第一热电偶真空计控制单元、第一分子泵控制器、第一至第五溅射靶材电源、第一离子源电源和第一偏压电源。利用本发明多靶直流磁控溅射装置在大尺寸异形氧化锆陶瓷表面沉积多层金属膜，实现对氧化锆陶瓷的表面改性，可以降低氧化锆陶瓷表面放气率、解析率，同时使其具有较高的导电率。
-
公开(公告)号：CN111031653B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201911232688.5
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于放射性靶区的屏蔽装置及真空系统。本发明屏蔽装置包括靶件自带屏蔽体与靶室固定屏蔽体，所述靶室固定屏蔽体设于所述高放射性靶区的靶室内，该靶室固定屏蔽体设有周围屏蔽区和穿透区，所述周围屏蔽区围绕所述穿透区的周边设置，所述穿透区为空心部分；所述靶件自带屏蔽体设于靶件的中段，靶件自带屏蔽体将所述靶件的靶头与非耐辐射元器件隔开；所述靶件自带屏蔽体适装于所述靶室固定屏蔽体的穿透区。本发明能有效解决高放射性区域设备因辐射失效的问题，进而还可以解决远程更换靶件的问题，进而还可以解决靶室整体更换与束流管道连接的问题及真空获得的控制问题。
-
公开(公告)号：CN114760748A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210364542.1
申请日：2022-04-08
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于强辐射区的真空法兰装置，其包括：分体式全金属真空法兰结构，其包括内圈法兰、外圈法兰、固定法兰和波纹管结构；所述内圈法兰活动连接在所述外圈法兰的内侧，且所述外圈法兰与所述固定法兰一端之间通过所述波纹管结构连接；所述固定法兰的另一端与靶室连接；真空束流管线法兰，其一端与真空束流管线连接，另一端与所述内圈法兰、所述外圈法兰连接在一起组成真空密封法兰对。本发明解决了高真空下靶室与真空束流管线的连接问题；并解决了设备需要维护时，靶室设备远程维护的关键问题；可在重离子加速器放射性工程技术领域中应用。
-
公开(公告)号：CN111398405A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010272097.7
申请日：2020-04-08
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明涉及一种真空系统中解吸率测试装置。所述装置包括真空室、制冷机和冷屏，其中，所述制冷机包括相连的一级冷头和二级冷头，所述一级冷头和二级冷头均伸入所述真空室，所述二级冷头位置处设置测试用靶材；所述冷屏自所述一级冷头处延伸向所述二极冷头这侧，并在周侧外围包围所述二级冷头及靶材。本发明能够实现低温工况下不同靶材试验的目标，能够解决不同温度工况下靶材温度控制误差大、温控滞后等问题。
-
公开(公告)号：CN118669296A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410728843.7
申请日：2024-06-06
Applicant: 中国科学院近代物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种低温吸气剂泵及其制作方法，其中，低温吸气剂泵包括低温制剂循环管路，内循环通入低温制剂；刀口法兰，套设在所述低温制剂循环管路外且与低温制剂循环管路紧配合或固定连接；吸附组合体，若干个吸附组合体分别套设在刀口法兰上方的所述低温制剂循环管路外且与所述低温制剂循环管路紧配合，若干个所述吸附组合体沿着所述低温制剂循环管路的长度方向间隔布置；第一金属垫片，最下层的所述吸附组合体与刀口法兰之间以及相邻的吸附组合体之间分别设置有所述第一金属垫片；限位件，与所述低温制剂循环管路的上端配合连接，以压紧所述吸附组合体并防止其掉落。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.036 seconds)
