-
公开(公告)号：CN108342772B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201710049714.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，所述生长单元包括筒状保温层，设置于筒状保温层内部的，用于承载生长基底的承载面，设置于所述承载面下方的加热部件；所述加热部件与承载面电绝缘；所述生长基底在承载面的承载作用下，从筒状保温层的一个端面运动至另一个端面。本发明提供了连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，为二维原子晶体材料的生长提供了环境；可以将多个所述生长单元连接，并将所述每个生长单元的筒状保温层无缝连接得到连续化生长二维原子晶体材料的生长系统，实现二维原子晶体材料生长过程的温度可控。
-
公开(公告)号：CN107557761B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201710729069.1
申请日：2017-08-23
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于在带/线材上连续化生长二维材料的卷对卷装置，所述卷对卷装置包括：第一卷绕辊、第二卷绕辊；且通过第一卷绕辊和第二卷绕辊的转动使得带/线材能够在两个卷绕辊之间转移；监测单元，用于监测处于第一卷绕辊和第二卷绕辊之间的带/线材的状态参数；控制单元，用于根据监测单元检测到的状态参数，控制第一卷绕辊和/或第二卷绕辊的转速。本发明通过监测带/线材在传送过程中的状态参数——速度和张力，设定带/线材稳定转移的状态参数，从而实现均匀持续沉积二维材料的目的。
-
公开(公告)号：CN108342772A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710049714.5
申请日：2017-01-23
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，所述生长单元包括筒状保温层，设置于筒状保温层内部的，用于承载生长基底的承载面，设置于所述承载面下方的加热部件；所述加热部件与承载面电绝缘；所述生长基底在承载面的承载作用下，从筒状保温层的一个端面运动至另一个端面。本发明提供了连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，为二维原子晶体材料的生长提供了环境；可以将多个所述生长单元连接，并将所述每个生长单元的筒状保温层无缝连接得到连续化生长二维原子晶体材料的生长系统，实现二维原子晶体材料生长过程的温度可控。
-
公开(公告)号：CN107557761A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710729069.1
申请日：2017-08-23
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于在带/线材上连续化生长二维材料的卷对卷装置，所述卷对卷装置包括：第一卷绕辊、第二卷绕辊；且通过第一卷绕辊和第二卷绕辊的转动使得带/线材能够在两个卷绕辊之间转移；监测单元，用于监测处于第一卷绕辊和第二卷绕辊之间的带/线材的状态参数；控制单元，用于根据监测单元检测到的状态参数，控制第一卷绕辊和/或第二卷绕辊的转速。本发明通过监测带/线材在传送过程中的状态参数——速度和张力，设定带/线材稳定转移的状态参数，从而实现均匀持续沉积二维材料的目的。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.029 seconds)
