公开(公告)号：CN1295323C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200410009359.1

申请日：2004-07-21

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 胡晗华 ,  石岩峻 ,  丛威 ,  康瑞娟 ,  蔡昭铃

IPC: C12N1/12 ,  A01H13/00

Abstract: 本发明属于微藻的培养领域，特别是涉及塔玛亚历山大藻的高密度培养方法。在培养初期采取静置或温和搅拌的方式，使之利用培养基中的碳源和其它营养先增殖一段时间，待细胞密度达到一定程度后再实施通气，从而使藻细胞避开了培养初期由搅拌或通气引起的剪切所导致的细胞损伤。通入的气体中可配有一定比例的二氧化碳以提供藻细胞生长所需的碳源，同时维持一定的pH值。在培养初期只供给适度的氮、磷浓度，使之在培养初期能够快速增殖，在培养后期氮、磷成为生长的限制因素的时候补加氮、磷，从而缓解了后期氮、磷的缺乏，使之能够持续增殖，达到高的细胞密度。

公开(公告)号：CN1724636A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200410009359.1

申请日：2004-07-21

Applicant: 中国科学院过程工程研究所

Inventor： 胡晗华 ,  石岩峻 ,  丛威 ,  康瑞娟 ,  蔡昭铃

IPC: C12N1/12 ,  A01H13/00

Abstract: 本发明属于微藻的培养领域，特别是涉及塔玛亚历山大藻的高密度培养方法。在培养初期采取静置或温和搅拌的方式，使之利用培养基中的碳源和其它营养先增殖一段时间，待细胞密度达到一定程度后再实施通气，从而使藻细胞避开了培养初期由搅拌或通气引起的剪切所导致的细胞损伤。通入的气体中可配有一定比例的二氧化碳以提供藻细胞生长所需的碳源，同时维持一定的pH值。在培养初期只供给适度的氮、磷浓度，使之在培养初期能够快速增殖，在培养后期氮、磷成为生长的限制因素的时候补加氮、磷，从而缓解了后期氮、磷的缺乏，使之能够持续增殖，达到高的细胞密度。