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公开(公告)号:CN108760049A
公开(公告)日:2018-11-06
申请号:CN201810450530.4
申请日:2018-05-11
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
CPC classification number: G01J3/2823 , G01J3/00 , G02B1/00
Abstract: 本发明涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪,解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统;光机系统包括成像镜头和滤波片;高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片;紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面;背照式CMOS芯片设置在管壳内部。
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公开(公告)号:CN208155458U
公开(公告)日:2018-11-27
申请号:CN201820702525.3
申请日:2018-05-11
Applicant: 中国科学院西安光学精密机械研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪,解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统;光机系统包括成像镜头和滤波片;高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片;紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面;背照式CMOS芯片设置在管壳内部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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