一种磁共振成像系统及其参数确定方法

    公开(公告)号:CN106291422B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN201610864040.X

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像系统及其参数确定方法,其中磁共振成像系统包括:上磁体、下磁体,以及上匀场环、下匀场环;上磁体与下磁体正对设置;上匀场环内设置有第一梯度线圈和第一主动屏蔽线圈;第一主动屏蔽线圈设置于第一梯度线圈的外周;第一主动屏蔽线圈与第一梯度线圈内电流的流向相反;下匀场环内设置有第二梯度线圈和第二主动屏蔽线圈;第二主动屏蔽线圈设置于第二梯度线圈的外周;第二主动屏蔽线圈与第二梯度线圈内电流的流向相反,并且第二主动屏蔽线圈与第一主动屏蔽线圈内电流的流向相反。利用主动屏蔽线圈产生的磁场来达到抑制涡流磁场的目的;该主动屏蔽线圈设置于梯度线圈的外周,不会额外占用磁体内部口径空间。

    一种磁共振成像系统及其参数确定方法

    公开(公告)号:CN106291422A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610864040.X

    申请日:2016-09-29

    CPC classification number: G01R33/48 A61B5/055 G01R33/385

    Abstract: 本发明公开了一种磁共振成像系统及其参数确定方法,其中磁共振成像系统包括:上磁体、下磁体,以及上匀场环、下匀场环;上磁体与下磁体正对设置;上匀场环内设置有第一梯度线圈和第一主动屏蔽线圈;第一主动屏蔽线圈设置于第一梯度线圈的外周;第一主动屏蔽线圈与第一梯度线圈内电流的流向相反;下匀场环内设置有第二梯度线圈和第二主动屏蔽线圈;第二主动屏蔽线圈设置于第二梯度线圈的外周;第二主动屏蔽线圈与第二梯度线圈内电流的流向相反,并且第二主动屏蔽线圈与第一主动屏蔽线圈内电流的流向相反。利用主动屏蔽线圈产生的磁场来达到抑制涡流磁场的目的;该主动屏蔽线圈设置于梯度线圈的外周,不会额外占用磁体内部口径空间。

    一种霍尔巴赫磁体匀场线圈及其设计方法

    公开(公告)号:CN105548925A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201510949562.5

    申请日:2015-12-18

    CPC classification number: G01R33/385 H01F7/0278

    Abstract: 本发明公开了一种霍尔巴赫磁体匀场线圈及其设计方法,具体针对霍尔巴赫磁体的结构特点和主磁场方向,根据磁场结构特征对电流密度函数进行灵活设计,然后利用比奥萨瓦特定律推导出电流密度与主磁场之间的关系,从而反演出电流分布函数,同时考虑匀场线圈对功率损耗函数,线性度等参数的要求,对线圈结构进行优化。本发明对霍尔巴赫磁体给出两种结构的线圈结果,在结构复杂度和性能方面各有利弊,可根据实际需求灵活进行选择。

    一种磁共振成像系统
    6.
    实用新型

    公开(公告)号:CN206096416U

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201621093605.0

    申请日:2016-09-29

    Abstract: 本实用新型公开了一种磁共振成像系统,涉及磁共振成像领域,其中磁共振成像系统包括:上磁体、下磁体,以及上匀场环、下匀场环;上磁体与下磁体正对设置;上匀场环内设置有第一梯度线圈和第一主动屏蔽线圈;第一主动屏蔽线圈设置于第一梯度线圈的外周;第一主动屏蔽线圈与第一梯度线圈内电流的流向相反;下匀场环内设置有第二梯度线圈和第二主动屏蔽线圈;第二主动屏蔽线圈设置于第二梯度线圈的外周;第二主动屏蔽线圈与第二梯度线圈内电流的流向相反,并且第二主动屏蔽线圈与第一主动屏蔽线圈内电流的流向相反。利用主动屏蔽线圈产生的磁场来达到抑制涡流磁场的目的;该主动屏蔽线圈设置于梯度线圈的外周,不会额外占用磁体内部口径空间。

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