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公开(公告)号：CN114059169A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111275110.5
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供一种具有铁电性的深紫外透明硫酸盐晶体及光学器件。所述硫酸盐晶体的化学式为MxM′yM″z(SO4)(x/2+y/2+z/2)，M选自碱金属，M′选自碱金属或铵根离子，M″选自碱金属或铵根离子；x≥1，y≥1，z≥0。利用电场对硫酸盐晶体进行周期极化，得到准相位匹配光学器件。
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公开(公告)号：CN108957596B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810196576.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明提供一种深紫外窗口器件，所述深紫外窗口器件包含方硼石晶体。所述深紫外窗口器件能透过深紫外入射电磁辐射。所述入射电磁辐射的透过范围为0.155～4.0μm。本发明中使用方硼石晶体制备深紫外窗口器件，其中，方硼石晶体是一种新的深紫外光学晶体，具有稳定的物理、化学性质，不易潮解，没有开裂问题，适合于光学器件。并且，本发明人通过对采用本发明提供的方法生长得到的方硼石晶体的光学性能进行表征，发现了其具有宽的光学透过范围，非常适合于深紫外窗口器件。
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公开(公告)号：CN106637405B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510724768.8
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种铁电固溶体单晶铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅及其制备方法。采用顶部籽晶晶体生长工艺对其进行生长，工艺简单、制备的晶体的性能优异，所述铁电固溶体单晶铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅具有优异的压电性能和高的居里温度，能够满足对材料稳定性要求非常高的医学和军事应用的需求，具有很好的研究和应用价值。
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公开(公告)号：CN108238795A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611226252.1
申请日：2016-12-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/499 , C04B35/472 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种三元铁电压电材料及其制备方法和应用。所述材料的化学组成为：xPb(In1/2Nb1/2)O3-yPb(Ni1/3Nb2/3)O3-(1-x-y)PbTiO3，其中，x＝0.17～0.43，y＝0.09～0.53，所述材料属于钙钛矿型结构。所述的陶瓷材料的制备方法采用固相合成工艺，所述方法能够成功制备纯的钙钛矿相，避免一步合成法所产生的焦绿石结构，而且通过上述方法制备的陶瓷粒径均一，致密度高。通过X-射线粉末衍射，确定该体系为钙钛矿型结构，通过电学的测试，其具有优异的铁电性、介电性、压电性能和较高的居里温度，其在压电传感器、存储器、高性能电容器方面具有应用前景。
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公开(公告)号：CN105314982B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410289062.9
申请日：2014-06-24
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及材料领域，具体而言，涉及一种三元多铁性材料、该材料的制备方法及应用。该材料的化学组成为：xBiFeO3‑(1‑x‑y)Pb(Fe1/2NbO1/2)O3‑yPbTiO3；其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105369357B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201410321820.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及材料领域，尤其涉及一种晶体材料、该材料的制备方法及应用。该材料组成为：xBaSnO3‑yPbSnO3‑(1‑x‑y)PbTiO3。该制备方法包括下列步骤：(1)将晶体原料和助熔剂进行称重，并进行混合、研磨，之后装入耐热器皿中；(2)切籽晶，并将切好的籽晶绑在籽晶杆的一端；(3)把耐热器皿放入加热炉中，籽晶杆固定在炉架上，调中，盖好炉盖；(4)升温后恒温，之后下籽晶，调整温度找饱和点，之后匀速率降温，开始晶体生长；(5)待温度及晶体尺寸达到要求时，提起晶体，以匀速率冷却至室温，开炉取出晶体。本发明所提供的晶体材料具有较高的居里温度，以及优良的压电、铁电性能，能够应用于机电耦合领域中。
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公开(公告)号：CN106637405A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510724768.8
申请日：2015-10-30
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种铁电固溶体单晶铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅及其制备方法。采用顶部籽晶晶体生长工艺对其进行生长，工艺简单、制备的晶体的性能优异，所述铁电固溶体单晶铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅具有优异的压电性能和高的居里温度，能够满足对材料稳定性要求非常高的医学和军事应用的需求，具有很好的研究和应用价值。
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公开(公告)号：CN103710756A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310689956.2
申请日：2013-12-16
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明公开了一种新型反铁电晶体材料铌镥酸铅-钛酸铅及其制备方法和用途。该晶体材料属钙钛矿型结构，其化学式为(1-x)Pb(Lu1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3，简记为PLN-PT。其中，0
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公开(公告)号：CN102649643A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210125316.4
申请日：2012-04-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C04B35/50 , C04B35/493 , C04B35/491 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 本发明涉及铌镥酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料。通过粉末衍射，扫描电镜，介电，压电和铁电测量对其性能进行表征，确定了该三元体系的准同型相界区域。并得到了位于准同型相界区的最佳性能的组分43Pb(Lu1/2Nb1/2)O3-10PbZrO3-47PbTiO3。其压电系数到d33＝367pC/N，Tc＝360℃，机电耦合性能kp＝68％，矫顽场Ec＝17kv/cm，剩余极化Pr＝34.45μC/cm2。不仅可以满足高功率传感器及高应变驱动器等高技术应用对压电材料性能的要求，而且可以满足高功率传感器及高应变驱动器等高技术应用对压电材料的使用温度要求。
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