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公开(公告)号:CN100416342C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200310115259.2
申请日:2003-11-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明阐述一种宽带可调谐激光晶体Cr3+:LiNbO3。铌酸锂LiNbO3(LN)是一种很重要的光学晶体材料,其晶体结构属于六方晶系,晶胞参数为:a=5.148,b=13.863,熔点为1253℃,可以采用提拉法生长晶体。它具有良好的机械、物理化学性能,它的光谱吸收边是321nm,光谱吸收边会随着Cr3+掺杂浓度的增加略有红移,在484nm、657nm和725nm处存在有三个吸收峰。而在荧光谱上,Cr3+:LN晶体在700nm~1100nm存在一个宽带发射峰,峰值波长为900nm,因此,Cr3+:LiNbO3晶体有望成为一种LD泵浦的全固态、宽带可调谐激光晶体。用Cr3+:LiNbO3晶体制作的可调谐固体激光器可广泛应用于工业、军事和科研等许多领域。
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公开(公告)号:CN1780075A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200410097534.7
申请日:2004-11-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种激光晶体材料硼酸铥铝及其制备方法和用途涉及晶体材料领域。硼酸铥铝是一种新型多功能激光晶体材料,其分子式为TmAl3(BO3)4(简称TAB),它既是一种具有很高浓度激活离子的自激活激光晶体,又是一种具有较高非线性光学效应的变频材料。其晶体结构属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数a=9.2741(13),c=7.218(3),α=β=90°,γ=120°,v=537.7(2)3,Dc=4.495g/cm,它的倍频系数是KDP的≈3.5倍,在≈800nm处有较强的吸收,它在≈1.5μm和≈2.0μm都有较强的宽带荧光发射;在1.2μm附近也有较强的宽带荧光发射。以K2Mo3O10+Al2O3+B2O3为助熔剂,采用熔盐法进行TAB晶体生长。有望将TAB晶体制成LD抽运的全固化小型、高效微片晶体激光器,在红光和近红外波段(特别是人眼安全波段)实现高效的多波段、可调谐激光及其变频输出。
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公开(公告)号:CN1621579A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN200310115260.5
申请日:2003-11-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C30B29/32
Abstract: 本发明涉及晶体材料领域,它阐述一类新型高非线性光学系数的自变频激光晶体Re3+∶Re2(MoO4)3(Re=Nd,Y,La,....Yb稀土离子)。具有无心对称的正交晶系结构的Re2(MoO4)3(Re=Y,La,Ce,Pr等稀土元素)晶体材料具有良好的物理化学性能,它们的倍频系数与LiNbO3相当,是KDP的3~5倍,且在最大的倍频系数方向上可以实现相位匹配,不必像LiNbO3晶体那样必须进行准相位匹配,才能够利用最大的倍频系数。而Yb3+和Nd3+掺杂的Re2(MoO4)3晶体材料便可以成为一类新型的、高非线性光学系数的自变频激光晶体。
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公开(公告)号:CN1485961A
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN02143843.9
申请日:2002-09-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种可调谐蓝紫色激光器涉及激光器件领域。阐述一种采用β-BaB2O4晶体倍频可调谐激光晶体Cr3+:GdAl3(BO3)4激射的红光-近红外可调谐激光产生可调谐蓝紫色激光的小型激光器件。器件中使用的可调谐激光晶体CrxGd1-xAl3(BO3)4(x=0.005-0.05),阈值低,效率高,用普通闪光灯或自制的593nm波段的全固态激光泵浦源泵浦,即可以产生650nm-850nm的可调谐激光,然后通过β-BaB2O4晶体倍频晶体便可以产生325nm-425nm的可调谐蓝紫色激光。该器件涉及的光学元件加工精度要求不苛刻。
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公开(公告)号:CN1485957A
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN02143700.9
申请日:2002-09-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种可调谐绿-蓝-紫色激光器涉及激光器件领域。阐述一种采用β-BaB2O4非线性光学晶体倍频可调谐激光晶体Cr3+:LiSr0.8Ca0.2AlF6激射的红光-近红外可调谐激光产生可调谐绿蓝紫色激光的小型激光器件。器件中使用的可调谐激光晶体CrxLiSr0.8Ca0.2Al1-xF6(x=0.05-0.15),阈值低,效率高,用普通闪光灯或是自制的593nm波段的全固态激光泵浦源泵浦即可以产生700nm-1050nm的可调谐激光,然后通过β-BaB2O4非线性光学晶体倍频便可以产生350nm-525nm的可调谐绿蓝紫色激光。该器件涉及的光学元件加工精度要求不苛刻。
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公开(公告)号:CN1778999A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200410097533.2
申请日:2004-11-28
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种非线性光学材料硼酸钆铝,其分子式为GdAl3(BO3)4(简称GAB)。其晶体结构属于三方晶系,空间群为R32,晶胞参数为:a=9.2734,c=7.2438,γ=120°。它的倍频系数是KDP晶体的3~4倍。透光范围为300nm~2600nm。色散方程为:no2(λ,T)=3.07389+0.03079/(λ2+0.03265)+3.261E-5(T-T0),ne2(λ,T)=2.82998+0.0242/(λ2+0.03127)+3.533E-5(T-T0),在整个透光波段范围内都可实现相位匹配。采用K2Mo3O10-Gd2O3-B2O3作助熔剂,用熔盐法生长硼酸钆铝单晶。与BBO等著名晶体相比,除了它的有效非线性系数和透光范围略逊色于BBO之外,其它参数和防潮性都优于BBO等多种晶体,其带宽特性是这些晶体中最好的。因此,GAB晶体有望成为一种新型的、优秀的非线性光学材料。
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公开(公告)号:CN1622409A
公开(公告)日:2005-06-01
申请号:CN200310115258.8
申请日:2003-11-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明阐述用液相外延法生长ZnO蓝紫光半导体。首先选择含有P2O5助熔剂的生长体系,采用熔盐法生长出掺杂有P5+离子的ZnO-p型半导体单晶;然后选择含有Al2O3助熔剂的生长体系,采用液相外延法,在ZnO-p型半导体单晶表面生长出掺杂有Al3+离子的ZnO-n型半导体单晶,通过晶体器件加工,可以制备出具有p-n结的ZnO蓝紫光半导体器件。采用此法生长的ZnO蓝紫光半导体单晶,具有低缺陷、高完整性的优点,且生长装备简单,费用便宜。
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公开(公告)号:CN1485962A
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN02143845.5
申请日:2002-09-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种可调谐蓝-紫色激光器涉及激光器件领域。阐述一种采用β-BaB2O4非线性光学晶体倍频可调谐激光晶体Cr3+:RA3(BO3)4(R=Y,La;A=Al,Sc)激射的红光-近红外可调谐激光产生可调谐蓝紫色激光的小型激光器件。器件中使用的可调谐激光晶体CrxR-xA3(BO3)4(R=Y,La;A=Al,Sc)(x=0.005-0.05),阈值低,效率高,用普通闪光灯或是自制的593nm波段的全固态激光泵浦源泵浦即可以产生650nm-900nm的调谐激光,然后通过β-BaB2O4非线性光学晶体倍频晶体便可以产生375nm-450nm的可调谐蓝紫色激光。该器件涉及的光学元件加工精度要求不苛刻。
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公开(公告)号:CN1485960A
公开(公告)日:2004-03-31
申请号:CN02143842.0
申请日:2002-09-29
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 一种可调谐绿-蓝-紫色激光器涉及激光器件领域。阐述一种采用β-BaB2O4非线性光学晶体倍频可调谐激光晶体Ti3+:RA3(BO3)4(R=Y,La;A=Al,Sc)激射的红光-近红外可调谐激光产生可调谐绿蓝紫色激光的小型激光器件。器件中使用的可调谐激光晶体TixR-xA3(BO3)4(R=Y,La;A=Al,Sc)(x=0.005-0.05),阈值低,效率高,用普通闪光灯或是自制的593nm波段的全固态激光泵浦源泵浦,即可以产生700nm-1100nm的调谐激光,然后通过β-BaB2O4非线性光学晶体倍频晶体便可以产生350nm-550m的可调谐绿蓝紫色激光。该器件涉及的光学元件加工精度要求不苛刻。
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公开(公告)号:CN100492149C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200310115261.X
申请日:2003-11-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 交叉叠加型激光晶体倍频器涉及激光变频技术领域。它由是由多片相同的、已经满足相位匹配条件的倍频晶体片彼此互成一定的角度叠加而成。交叉叠加型激光晶体倍频器,结构紧凑、简单、使用方便、成本低的实用性。它在发散度大的激光束的倍频中,不仅可以提高倍频输出效率,而且可以改善倍频输出光斑的光束质量,同时还可以适当地补赏掉激光在非线性晶体中的离散效应,对于双折射特别大的非线性晶体还可以得到新的开拓应用。对于采用非线性光学晶体对半导体激光器LD、大光斑输出激光强聚焦输出光的倍频等变频方面尤其适用。
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