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公开(公告)号：CN114369252A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202011098732.0
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
IPC: C08G83/00 , C08J5/18 , C25B11/095 , C25B1/04 , C08L87/00
Abstract: 本发明公开了一种基于自牺牲金属氧化物薄膜模板制备金属‑有机框架薄膜的方法，首先采用晶种法在基底表面生长一层致密的金属氧化物薄膜，然后利用MOFs的前驱体咪唑和钼酸(或钨酸)不断地刻蚀金属氧化物薄膜模板，从而制得表面平整、均匀致密、结晶性好的MOFs(HZIFs)薄膜。本发明方法实现了MOFs(HZIFs)薄膜材料的高致密生长，克服了现有技术中MOFs薄膜仅能在高温下才能生长的技术难题，能够广泛适用于气体分离、传感器和电催化领域。同时本发明MOFs薄膜材料可以根据实际需要选择相应的平面基底或者三维基底，具有很高的普适性，从而为MOFs薄膜材料的大范围应用提供了新的途径。
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