生长低温相偏硼酸钡大单晶的气冷晶体法

    公开(公告)号:CN1078632C

    公开(公告)日:2002-01-30

    申请号:CN98104745.9

    申请日:1998-02-11

    Abstract: 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡(β-BBO)大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长BBO晶体时,用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却,加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过程,从而提高了晶体的生长速度和质量。这一新技术的应用,使BBO晶体的生长速度提高了3~5倍,达1.5~2.5mm/天。晶体在紫外波段(200~340nm)的透过率提高了10%,达80%以上。

    实时光谱测量的样品高温加热装置

    公开(公告)号:CN1239776A

    公开(公告)日:1999-12-29

    申请号:CN98115334.8

    申请日:1998-06-18

    Abstract: 实时光谱测量的样品高温加热装置主要有一个铂丝小圈做成的样品架和一套特制的开有三个通光孔的小型自动控温加热炉组成。其样品的加热温度可达400~1200℃,并且由于被测样品很薄(0.5mm以下)这样可采用透射和反射方法进行光谱测量。应用该装置可以通过调节和控制高温加热装置炉内温度达到研究在高温状态下材料的物化性质以及了解材料的液相结构以及在固、液相转变过程中结构变化的目的。

    实时光谱测量的样品高温加热装置

    公开(公告)号:CN1116602C

    公开(公告)日:2003-07-30

    申请号:CN98115334.8

    申请日:1998-06-18

    Abstract: 实时光谱测量的样品高温加热装置主要有一个铂丝小圈做成的样品架和一套特制的开有三个通光孔的小型自动控温加热炉组成。其样品的加热温度可达400~1200℃,并且由于被测样品很薄(0.5mm以下)这样可采用透射和反射方法进行光谱测量。应用该装置可以通过调节和控制高温加热装置炉内温度达到研究在高温状态下材料的物化性质以及了解材料的液相结构以及在固、液相转变过程中结构变化的目的。

    气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶

    公开(公告)号:CN1225951A

    公开(公告)日:1999-08-18

    申请号:CN98104745.9

    申请日:1998-02-11

    Abstract: 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡(β-BBO)大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长BBO晶体时,用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却,加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过程,从而提高了晶体的生长速度和质量。这一新技术的应用,使BBO晶体的生长速度提高了3~5倍,达1.5~2.5mm/天。晶体在紫外波段(200~340mm)的透过率提高了10%,达80%以上。

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