用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶

    公开(公告)号:CN1032072C

    公开(公告)日:1996-06-19

    申请号:CN92112921.1

    申请日:1992-11-04

    Inventor: 江爱栋

    Abstract: 用改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶,属晶体生长工艺。其生长方法包括配料、下籽晶、生长和出炉四个步骤。本法所用籽晶中心钻孔,并将籽晶杆旋入或插入孔中以固定籽晶;籽晶取向为与C轴成0-60度的夹角;降温速率为0.01℃-0.1℃/小时,晶体转动速率为0-30转/分,出炉方式可用直接提起退火或转炉倒液法。用此改进方法,可稳定地生长出∮80-150mm、中心厚度达25-35mm的优质透明大单晶。

    改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶

    公开(公告)号:CN1086552A

    公开(公告)日:1994-05-11

    申请号:CN92112921.1

    申请日:1992-11-04

    Inventor: 江爱栋

    Abstract: 关于改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶的方法,属晶体生长工艺。其生长方法包括配料,下籽晶、生长和出炉四个步骤。本法所用籽晶中心钻孔,并将籽晶杆旋入或插入孔中以固定籽晶,籽晶取向为与C轴成0—60度的夹角,降温速率为0.01℃—0.1℃/小时,晶体转动速率为0—30转/分,出炉方式可用直接提起退火或转炉倒液法。用此改进方法,可稳定地生长出Φ80—150mm,中心厚度达25—35mm的优质透明大单晶。

    熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶

    公开(公告)号:CN1045282A

    公开(公告)日:1990-09-12

    申请号:CN85101617

    申请日:1985-04-01

    Inventor: 江爱栋

    Abstract: 关于熔盐籽晶法生长晶体的方法。用这种方法生长的低温相偏硼酸钡单晶,经全面性能测试工作,证实该晶体是一种优良的非线性光学、热电等多功能材料,其培养方法包括配料、下籽晶、生长三个步骤,采用Na2O或NaF作助熔剂;籽晶的位置位于熔液表面;籽晶取向为C轴方向;籽晶以0.03℃/小时—0.2℃/小时的速率生长。用这种方法,可稳定地生长出Φ67mm,中心厚度达15毫米、呈立碗形的大单晶。

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