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公开(公告)号：CN119640403A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411553811.4
申请日：2024-11-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和应用。该无机化合物晶体的化学式为Ga2(OH)(TeO3)(Te2O5)Br，属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为#imgabs0#α＝β＝γ＝90°，Z＝4。该无机化合物晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体Ga2(OH)(TeO3)(Te2O5)Br在1064nm激光照射下其粉末倍频强度为KH2PO4(KDP)的9.8倍，且能实现相位匹配，作为非线性光学材料具有很好的潜在应用价值。
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公开(公告)号：CN117385470A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311300269.7
申请日：2023-10-09
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和应用。该无机化合物晶体的化学式为Hg4(Te2O5)(SO4)，属于单斜晶系，空间群为P21/c，晶胞参数为 α＝γ＝90.000°，β＝90.923°，Z＝4。该无机化合物晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体Hg4(Te2O5)(SO4)在546nm处的理论双折射率为0.542，作为双折射材料具有很好的潜在利用价值。
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公开(公告)号：CN117051477A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310769447.4
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体及其制备方法和应用。所述无机化合物晶体的化学式为(NH4)2(I5O12)(IO3)，属于正交晶系，空间群为Cmc21，晶胞参数为#imgabs0#α＝γ＝β＝90°，Z＝4。本申请无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4的16倍，且均能实现相位匹配，作为非线性光学材料具有很好的潜在利用价值。
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公开(公告)号：CN111778546B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202010404178.8
申请日：2020-05-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体、其制备方法及用途，该无机化合物晶体的化学式为Ba2[MoO3(OH)(IO3)2]IO3，属于单斜晶系，空间群为P21，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝105.547°，Z＝2。该无机化合物晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的8倍，在2.05μm激光照射下其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)的0.6倍，且均能实现相位匹配，作为非线性光学材料具有很好的潜在利用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111117612A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201811293618.6
申请日：2018-11-01
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种白光荧光材料、其制备方法及用途，该无机化合物的化学式为Ba2[Sn(OH)6][B(OH)4]2，属单斜晶系，空间群为P21/c，单胞参数为α＝γ＝90°，β＝100.5～102.5°，Z＝2。该无机化合物采用高温固相法和/或水热法制备，用于发光和显示技术。
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公开(公告)号：CN110952139A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911166965.7
申请日：2019-11-25
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机化合物晶体，及其制备方法和作为非线性光学晶体的应用。所述无机化合物晶体，化学式为LuI3O8(IO3)2，属于单斜晶系，空间群为Cm，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝90～92°，Z＝2。该晶体采用水热法制备。该无机化合物晶体具有优良的非线性光学性能，在1064nm激光照射下输出很强的532nm绿光,其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的13倍，且能实现相位匹配，是具有潜在应用价值的非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN108728900A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710256003.5
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本发明涉及一种无机化合物、其制备方法及用途，该无机化合物的化学式为AgGa2PS6，属单斜晶系，空间群为Cc，单胞参数为 α＝γ＝90°，β＝106.5～108.5°，Z＝4。该无机化合物采用真空高温固相法制备，其粉末倍频(SHG)系数为AgGaS2(AGS)的1倍。
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公开(公告)号：CN108363259A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810127258.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 本申请公开了一种无机晶体材料，其特征在于，所述无机晶体材料的化学式为：BaGe(IO3)6(H2O)；所述无机晶体材料属于三方晶系，空间群为R3，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝3。该无机晶体材料表现出强的倍频效应，其粉末SHG系数超过KH2PO4(KDP)的12倍；在2.05μm激光照射下测得其粉末SHG系数为KTiOPO4(KTP)晶体的0.8倍，且能实现相位匹配，是具有潜在应用价值的非线性光学材料。
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公开(公告)号：CN104988580B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201510495567.5
申请日：2015-08-13
Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所
Abstract: 根据本申请的一个方面，提供一种晶体材料、其制备方法及作为非线性光学晶体的应用。该晶体的化学式为NaNbO(SeO3)2，属于正交晶系，空间群为Cmc21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4；其粉末倍频系数可达KDP的7.8倍，且能在1.064μm→0.532μn激光倍频过程实现相位匹配。
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