公开(公告)号：CN105238405B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510727909.1

申请日：2015-10-30

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 刘永升 ,  刘大玖 ,  卓著 ,  吴明燕 ,  洪茂椿 ,  陈学元

IPC: C09K11/85

Abstract: 本发明涉及一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度方法。通过热分解分段定向外延生长制备方法，将上转换稀土离子分别掺杂到无机纳米材料的不同部位，并在不同部位之间生长一定厚度的纯的基质材料以增加稀土离子之间的距离，减小不同稀土离子之间因能量传递和交叉弛豫过程而引起的能量损耗，从而大大提高稀土离子共掺无机纳米材料的上转换发光强度和量子产率。

公开(公告)号：CN105238405A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510727909.1

申请日：2015-10-30

Applicant: 中国科学院福建物质结构研究所

Inventor： 刘永升 ,  卓著 ,  刘大玖 ,  吴明燕 ,  洪茂椿 ,  陈学元

IPC: C09K11/85

Abstract: 本发明涉及一种提高稀土离子共掺上转换纳米材料发光强度方法。通过热分解分段定向外延生长制备方法，将上转换稀土离子分别掺杂到无机纳米材料的不同部位，并在不同部位之间生长一定厚度的纯的基质材料以增加稀土离子之间的距离，减小不同稀土离子之间因能量传递和交叉弛豫过程而引起的能量损耗，从而大大提高稀土离子共掺无机纳米材料的上转换发光强度和量子产率。