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公开(公告)号：CN116528657A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202210074134.2
申请日：2022-01-21
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种铁电电容器及其制造方法，在基底上形成第一电极层，在第一电极层上形成介质层，介质层的材料为掺锆的氧化铪，介质层中锆的摩尔数占铪和锆的摩尔总数的比例范围为0.65‑0.75，介质层的厚度范围为5‑7nm，之后在介质层上形成第二电极层，通过设计介质层中锆的含量和介质层的厚度，使铁电电容器能量存储密度及效率得到大幅度提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823134A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210492796.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种反铁电电容器，该反铁电电容器包括：衬底、第一功能层、下电极层、介质层、第二功能层和上电极层；所述第一功能层位于所述衬底之上，所述下电极层位于所述第一功能层之上，所述介质层位于所述下电极层之上，所述第二功能层位于所述介质层之上，所述上电极层位于所述第二功能层之上，其中，所述第一功能层的材质为氧化铝，所述第二功能层的材质包括氧化铝、氧化锆或氧化铪。该反铁电电容器提高反铁电电容器的存储性能和柔韧性，使得本发明的反铁电电容器能量存储密度及工作效率得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN115274854A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210957044.8
申请日：2022-08-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种基于IGZO沟道的铪基铁电场效应晶体管及其制备方法，属于微电子技术领域，解决了现有的铪基铁电场效应晶体管在阵列级应用中存储单元间的阈值电压波动引起状态交叠甚至错误的问题。该铪基铁电场效应晶体管包括从下至上依次叠加设置的衬底层、下电极、铁电层、上电极、绝缘层和沟道层，沟道层的上表面设置有源电极、漏电极，所述源电极和漏电极之间形成沟道；沟道的宽长比为2‑30：1。本发明实现了改善阈值电压波动的问题。
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公开(公告)号：CN115188742A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110364798.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种铁电电容器结构，包括：衬底层(1)，以及依次叠设于所述衬底层(1)上的缓冲层(2)、第一电极(3)、介质层(4)和第二电极(5)，所述衬底层(1)为柔性衬底，所述介质层为HfO2铁电介质。本发明还提供了一种该铁电电容器结构的制备方法。本发明通过在柔性衬底上生长一层缓冲层，使得表面粗糙度降低，大大减小了器件的漏电流，并且使得铁电薄膜内部电场分布均匀，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114927344A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210492735.5
申请日：2022-05-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01G4/002
Abstract: 本发明涉及铁电电容器技术领域，尤其涉及一种柔性铁电电容器，该柔性铁电电容器包括：衬底；功能层，所述功能层位于所述衬底之上，其中，所述功能层的材质为氧化铝；下电极层，所述下电极层位于所述功能层之上；介质层，所述介质层位于所述下电极层之上；上电极层，所述上电极层位于所述介质层之上。柔性铁电电容器提高铁电电容器的柔韧性，使得柔性铁电电容器的器件的柔韧性大大提高，器件在弯折后，其性能仍保持稳定。
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公开(公告)号：CN217822821U
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202222097505.7
申请日：2022-08-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10
Abstract: 本实用新型涉及一种铁电场效应晶体管和半导体器件，属于微电子技术领域，解决了现有技术中铁电场效应晶体管存在渗流效应的问题。所述铁电场效应晶体管包括从下至上依次叠加设置的衬底层、下电极、铁电层、上电极、绝缘层和沟道层；所述沟道层的上表面设置有源电极、漏电极，所述源电极和漏电极之间形成沟道；所述沟道的宽长比为2‑30：1。本实用新型的铁电场效应晶体管不存在渗流效应的问题。
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