-
公开(公告)号：CN119907619A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202411994554.8
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种磁隧道结和磁存储器，该磁隧道结包括依次层叠设置的自旋轨道耦合层、自由层、势垒层、参考层和钉扎层；还包括至少一层磁性层，至少一层磁性层包括第一自旋极化增强层和/或第二自旋极化增强层，第一自旋极化增强层位于自旋轨道耦合层与自由层之间，第一自旋极化增强层的磁化方向与自由层的磁化方向相同；第二自旋极化增强层位于参考层与钉扎层之间，第二自旋极化增强层的磁化方向与参考层的磁化方向相同。本申请提供的磁隧道结隧穿磁电阻率得以提高。
-
公开(公告)号：CN119654053A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411730123.0
申请日：2024-11-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种拓扑自旋材料基磁阻存储器件，包括：自旋轨道耦合层，材料为拓扑绝缘体，用于产生自旋流；氧化镍层，形成于所述自旋轨道耦合层上；界面层，形成于所述氧化镍层上；以及磁性隧道结，形成于所述界面层上，包括形成于势垒层上下两侧的铁磁层；所述自旋流以磁振子的形式在氧化镍层中传输后作用于铁磁层，所述界面层用于增强铁磁层的各向异性。
-
公开(公告)号：CN119497397A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411542451.8
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 提供一种磁性斯格明子存储器，包括：磁结构赛道，磁性隧道结，铁电背栅极。磁结构赛道包括拓扑材料层和亚铁磁层，并被构造为包含中间区域和分别由中间区域两侧延伸出的延伸部，两侧延伸部的亚铁磁层分别被反铁磁耦合钉扎在相反的磁矩方向；磁性隧道结位于所述磁结构赛道中间区域上，并被构造为用于电学读取存储器阻态变化；铁电背栅极包括铁电层和底电极，铁电背栅极位于所述磁结构赛道中间区域下；拓扑材料层注入电流时产生自旋轨道矩以调控亚铁磁层中的磁结构在亚铁磁层中移动，通过施加栅压以调整铁电层的电极化方向，从而调控拓扑材料层和亚铁磁层间界面的反对称交换作用的大小，最终使存储器工作于斯格明子模式或二值模式。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.025 seconds)
