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公开(公告)号：CN119040972A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310621278.X
申请日：2023-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本说明书实施例提供了一种提高金属微电铸均匀性的方法，方法包括：基于光刻技术，根据基底上阴极的位置，在电流密度不均匀区域，制备辅助阴极；所述辅助阴极为环形，环绕所述阴极设置，且覆盖所述电流密度不均匀区域，所述电流密度不均匀区域在金属微电铸时降低电铸区域的镀层均匀性。本申请提供的技术方案用以解决现有技术延长了制造周期并增加了制造成本的问题。
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公开(公告)号：CN115364912A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202110542343.0
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种热塑性芯片的键合装置以及键合方法。其中的键合装置包括键合模块、储液模块以及废液回收模块，键合模块包括键合容器、上压板以及下基板，所述上压板以及所述下基板均设置在所述键合容器内，所述上压板以及所述下基板可沿竖向相对开合运动，待键合的芯片上板和待键合的芯片下板放入到所述上压板和所述下基板之间进行键合操作；所述储液模块包括存储有溶剂的溶剂储液容器以及存储有水溶液的水溶液储液容器，所述溶剂储液容器和所述水溶液储液容器均和所述键合容器连通；所述废液回收模块和所述键合容器连通。本发明可改善溶剂键合中由于溶剂残留而导致的微通道变形和尺寸损失的问题，进而提高热塑性芯片的键合质量。
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公开(公告)号：CN109940398B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910231902.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B23P23/04
Abstract: 本发明公开了一种微观零件批量精密加工仪器，所述仪器包括：本体，所述本体具有一内部容置空间；原料及靶材装配模块，所述原料及靶材装配模块设置在所述本体外侧的一端，与所述内部容置空间连通；表面处理模块、选择性电铸模块、飞刀切削模块、填充电铸模块、平坦化模块及剥离释放模块依次设置在所述容置空间内的底部，其中，所述表面处理模块靠近所述原料及靶材装配模块的一端，所述剥离释放模块位于所述容置空间的另一端。实现了任意精密三维结构的一次性直接制造，减少对准、装配等后续步骤，避免了精密微小零件装配带来的对准容差及成平率低，大幅提升了零件制造精度、可靠性，进而降低加工成本的技术效果。
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公开(公告)号：CN108063089B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201610982579.5
申请日：2016-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种MOS器件原子层沉积原位制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：对基底进行清洗，放入选区修饰处理腔体；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长半导体材料作为沟道；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长高k绝缘材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长高k绝缘材料作为器件栅介质层；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长金属层提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长金属层作为器件电极。本发明有效提高器件的均匀性、稳定性和整体工艺质量。
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公开(公告)号：CN107665810B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201710810781.4
申请日：2017-09-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种半导体上纳米级尺寸光刻胶的剥离方法，包括：将镀金属半导体片子在常温的第一丙酮溶液中进行浸泡；将经过常温的第一丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第二丙酮溶液中，并以第一功率超声波对容置于第二丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗；将经过第一功率超声波清结束后的镀金属半导体片子在加热后的第三丙酮溶液中进行浸泡；将经过第三丙酮溶液浸泡结束后的镀金属半导体片子放置于第四丙酮溶液中，并以大于第一功率超声波的第二功率超声波对容置于第四丙酮溶液中的镀金属半导体片子进行清洗，以去除镀金属半导体片子上纳米级尺寸的光刻胶。本发明解决了纳米级尺寸结构内的未曝光光刻胶残留的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107379528B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710602154.1
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B29C64/20 , B29C64/268 , B29C64/245 , B29C64/135 , B29C64/153 , B22F3/105 , B28B1/00 , B33Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种3D打印装置，包括：激光器，用于产生激光束；反射镜，设置于激光器的激光束出射方向，用于对激光器产生的激光束进行反射；准直透镜，设置于反射镜的反射光束的出射方向，用于对反射镜出射的反射光束进行准直；超表面聚焦透镜，设置于准直透镜的准直后光束的出射方向，用于对从准直透镜出射的准直后光束进行汇聚，以汇聚成聚焦光斑；打印材料承载装置，设置于超表面聚焦透镜的聚焦光斑处；三维移动台，与打印材料承载装置连接，以控制打印材料承载装置进行三维移动。
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公开(公告)号：CN110076940A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910231904.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明实施例提供的一种基于金属微观结构的精密模具，包括：衬底；牺牲层，所述牺牲层附着于所述衬底上；结构层，所述结构层嵌于所述牺牲层内，且所述结构层的底面位于所述牺牲层内部；三维结构内部腔体，所述三维结构内部腔体位于所述结构层内部；三维结构腔体外部通孔，所述三维结构腔体外部通孔与所述三维结构内部腔体相连通。解决了现有技术中成型技术对金属材料的消耗大、制造成本高，对特殊三维结构的成型精度难以控制的技术问题。达到了高精度的对任意结构微型金属模具的立体三维机械加工，降低加工成本，减小精密微小零件装配带来的对准容差及废品率的技术效果。
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公开(公告)号：CN108063089A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610982579.5
申请日：2016-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及半导体器件制备技术领域，具体涉及一种MOS器件原子层沉积原位制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：对基底进行清洗，放入选区修饰处理腔体；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长半导体材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长半导体材料作为沟道；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长高k绝缘材料提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长高k绝缘材料作为器件栅介质层；将所述基底表面选区改性，为原子层沉积生长金属层提供成核中心；在原子层沉积腔体中在所述基底上改性过的地方生长金属层作为器件电极。本发明有效提高器件的均匀性、稳定性和整体工艺质量。
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公开(公告)号：CN118558374A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202310212578.2
申请日：2023-02-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种核酸扩增芯片及其制备方法、核酸扩增装置，该核酸扩增芯片包括：微流控结构和控温单元。其中，微流控结构包括进样通道、扩增流道以及出样通道，进样通道、扩增流道以及出样通道依次连通。控温单元设置在微流控结构上，用于控制扩增流道的温度分布，以在扩增流道中形成变性温区、退火温区和延伸温区，延伸温区的温度大于退火温区的温度且小于变性温区的温度。当芯片处于工作状态时，核酸扩增样本从进样通道进入扩增流道，在扩增流道中流动完成扩增后，再由出样通道流出，核酸扩增样本每流经一次变性温区、退火温区和延伸温区则完成一个扩增周期。
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公开(公告)号：CN115199620B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110383132.7
申请日：2021-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明属于微流控技术领域，公开了一种芯片封装的压紧装置，包括：基台、滑轨、载片台、滚轮、滚轮支座以及升降支架；所述滑轨固定在所述基台上，所述载片台可滑动地固定在所述滑轨上；所述滚轮两端可转动地固定在所述滚轮支座上，所述滚轮支座固定在所述升降支架上；其中，所述滚轮横跨布置在所述滑轨和所述载片台上方。本发明提供的芯片封装的压紧装置能够提升芯片双面胶结密封质量。
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