晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法

    公开(公告)号:CN111430142B

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201910023352.1

    申请日:2019-01-10

    Abstract: 本发明涉及一种晶界扩散制备钕铁硼磁体的方法,所述方法包括:提供钕铁硼预制磁体;在钕铁硼预制磁体表面形成重稀土薄膜;将形成有重稀土薄膜的钕铁硼预制磁体进行热处理和回火处理,获得预制体,其中,预制体中包括正常壳层以及依次包覆于正常壳层的过渡层和反常壳层,正常壳层中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的边缘处至主相晶粒的中心部位逐渐降低,反常壳层中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的边缘处至主相晶粒的中心部位逐渐升高;去除反常壳层,得到钕铁硼磁体。本发明的方法能够使较厚的钕铁硼磁体也可以采用晶界扩散的方法来提高矫顽力,提高了晶界扩散对钕铁硼磁体厚度的适应性,解决了晶界扩散受磁体厚度的限制问题。

    一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法

    公开(公告)号:CN113388836A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110847470.1

    申请日:2021-07-26

    Abstract: 本发明公开了一种化学蚀刻减薄FeNi合金箔带的方法,包括:对FeNi合金薄板进行预处理,之后以蚀刻液均匀喷淋所述FeNi合金薄板,以将所述FeNi合金薄板蚀刻减薄形成FeNi合金箔带,其后对所述FeNi合金箔带进行后处理;其中,所述蚀刻液包括FeCl3、HCl和水。本发明工艺简单易操作,不仅可以进一步快速、均匀地降低FeNi合金薄板的厚度,还可以去除其表面的轧制硬化层,降低其内部塑性应变和残余应力,从而抑制蚀刻减材时的变形,有效改善FeNi合金箔带的柔性,显著提升掩膜版制造的成品率,且无需进行后期处理。本发明的方法适用于各种成分、尺寸与厚度的FeNi合金薄板,所获FeNi合金箔带厚度均匀、表面粗糙度低。

    一种光吸收镀膜、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN108796441A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810575055.3

    申请日:2018-06-06

    Abstract: 本申请公开了一种光吸收镀膜,所述光吸收镀膜为钛铝氮镀膜,包括底层和外层;所述底层为纳米层状结构,所述外层为柱状晶结构,所述柱状晶结构顶端为锥形表面;在200nm~2500nm的光波波长范围内,所述光吸收镀膜的平均光吸收率α不低于0.89。光吸收镀膜外层增加TiAlON或TiO2或SiO2减反层后,光吸收镀膜在200nm~2500nm光波波长范围的平均光吸收率α不低于0.95。该光吸收镀膜具有光吸收频率范围宽,吸收率高,镀膜物理和化学性能稳定等优势。本申请还公开了其制备方法及应用,该方法原材料成本低,不需要对基体以及镀膜过程做其他特殊处理,工艺简单方便,可实现大面积制备,采用该方法制备的光吸收镀膜结构可控,可以实现在不同材质表面的镀覆。

    一种提高锡青铜热加工性的方法

    公开(公告)号:CN105755310B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201610224792.X

    申请日:2016-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种提高锡青铜热加工性的方法,首先,按锡青铜合金各化学元素的质量百分比称取原材料,熔化后冷却成锭;将锭加热至750~800℃后进行挤压处理,再冷却至室温,经冷拔、切削处理后得到棒料;最后对棒料进行预热处理,再进行冲压处理,所述预热处理温度为750~820℃,时间为5~10min。本发明提供了一种提高锡青铜热加工性的方法,通过在冲压处理前进行预热处理,控制预热处理的温度及保温时间,并设计合理的工艺路线,实现了采用冲压工艺制造锡青铜合金,该方法可有效减少锡青铜合金中三元共析组织的偏析,细化合金晶粒,减少冲压过程中产生的缺陷,使冲压成型后的锡青铜合金的力学性能得到有效提高。

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