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公开(公告)号:CN111381297A
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN202010264897.4
申请日:2020-04-07
Applicant: 宁波材料所杭州湾研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G02B1/115
Abstract: 本发明属于光学薄膜技术领域,具体公开了一种高增透减反射膜及其制备方法,包括靠近透明基底的底层、中间层以及远离透明基底的顶层,所述的底层和顶层均为折射率为1.10~1.30的介孔SiO2层,其中底层厚度为5~50nm,顶层厚度为50~200nm;所述的中间层为折射率为1.35~1.50的致密MgF2或SiO2层,其厚度为50~200nm。本发明的三层膜系结构能够实现较高的宽带减反增透效果,同时,由于其可见光透过率和反射率谱线较为平滑,保证了膜系优异的色中性。
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公开(公告)号:CN109592908A
公开(公告)日:2019-04-09
申请号:CN201910071614.1
申请日:2019-01-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
CPC classification number: C03C17/25 , C03C17/006 , C03C2217/213 , C03C2217/425 , C03C2217/70 , C03C2217/78 , C03C2218/111 , C03C2218/32 , C08J7/06 , C08J2367/02 , C08J2379/08 , C09D1/00 , C09D5/00
Abstract: 本发明公开了一种改性多孔二氧化硅防潮增透涂层的制备方法,首先由含有环氧基的硅氧烷和含有伯胺或仲胺的硅氧烷通过开环加成反应合成多臂硅烷,再以多臂硅烷与含有硅氧烷的硅烷单体作为共同硅源单体,在酸催化条件下制备得到聚硅氧烷溶胶的前驱体溶液,然后制备造孔剂溶液,之后制备改性二氧化硅溶胶,最后将改性二氧化硅溶胶通过浸渍提拉法在透明衬底上一次成膜,制备得到改性多孔二氧化硅防潮增透涂层。该涂层具有宽光谱减反效果,表面平整光滑,颗粒之间紧密堆积,具有良好的耐磨性和耐候性,其厚度为100~200nm,断面孔隙尺寸为5~10nm,表面孔隙尺寸为10~40nm,有利于水汽的可逆吸脱附,具有优异的防潮功能。
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公开(公告)号:CN111381297B
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202010264897.4
申请日:2020-04-07
Applicant: 宁波材料所杭州湾研究院 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: G02B1/115
Abstract: 本发明属于光学薄膜技术领域,具体公开了一种高增透减反射膜及其制备方法,包括靠近透明基底的底层、中间层以及远离透明基底的顶层,所述的底层和顶层均为折射率为1.10~1.30的介孔SiO2层,其中底层厚度为5~50nm,顶层厚度为50~200nm;所述的中间层为折射率为1.35~1.50的致密MgF2或SiO2层,其厚度为50~200nm。本发明的三层膜系结构能够实现较高的宽带减反增透效果,同时,由于其可见光透过率和反射率谱线较为平滑,保证了膜系优异的色中性。
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公开(公告)号:CN109592908B
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN201910071614.1
申请日:2019-01-25
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种改性多孔二氧化硅防潮增透涂层的制备方法,首先由含有环氧基的硅氧烷和含有伯胺或仲胺的硅氧烷通过开环加成反应合成多臂硅烷,再以多臂硅烷与含有硅氧烷的硅烷单体作为共同硅源单体,在酸催化条件下制备得到聚硅氧烷溶胶的前驱体溶液,然后制备造孔剂溶液,之后制备改性二氧化硅溶胶,最后将改性二氧化硅溶胶通过浸渍提拉法在透明衬底上一次成膜,制备得到改性多孔二氧化硅防潮增透涂层。该涂层具有宽光谱减反效果,表面平整光滑,颗粒之间紧密堆积,具有良好的耐磨性和耐候性,其厚度为100~200nm,断面孔隙尺寸为5~10nm,表面孔隙尺寸为10~40nm,有利于水汽的可逆吸脱附,具有优异的防潮功能。
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公开(公告)号:CN109855327B
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN201811579743.3
申请日:2018-12-24
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: F25B23/00
Abstract: 本发明公开的一种选择性吸收发射体包括衬底、覆设于衬底上的金属薄膜和设置于金属薄膜上的单元阵列,单元阵列由多个间隔排布的外形尺寸相同的基本单元组成,每个基本单元由若干个自上而下依次叠加的叠堆组成,每个叠堆包括金属层和位于金属层下侧的一层介质层或两层折射率不同的介质层,每个基本单元的侧面与衬底的法线夹角为‑80~80°。该选择性吸收发射体是一种具有波长选择性的宽带吸收发射体。其工作波长与单元阵列中基本单元顶部和底部的直径或长度的关联度较小,对制备技术的精度要求低,当其工作波长在8~13μm波段且具有高吸收和发射率时,可用于被动辐射制冷,也可以通过改变阵列设计参数在其他波长范围获得所需的吸收特性。
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公开(公告)号:CN109855327A
公开(公告)日:2019-06-07
申请号:CN201811579743.3
申请日:2018-12-24
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: F25B23/00
Abstract: 本发明公开的一种选择性吸收发射体包括衬底、覆设于衬底上的金属薄膜和设置于金属薄膜上的单元阵列,单元阵列由多个间隔排布的外形尺寸相同的基本单元组成,每个基本单元由若干个自上而下依次叠加的叠堆组成,每个叠堆包括金属层和位于金属层下侧的一层介质层或两层折射率不同的介质层,每个基本单元的侧面与衬底的法线夹角为-80~80°。该选择性吸收发射体是一种具有波长选择性的宽带吸收发射体。其工作波长与单元阵列中基本单元顶部和底部的直径或长度的关联度较小,对制备技术的精度要求低,当其工作波长在8~13μm波段且具有高吸收和发射率时,可用于被动辐射制冷,也可以通过改变阵列设计参数在其他波长范围获得所需的吸收特性。
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