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公开(公告)号：CN102260046B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010185766.3
申请日：2010-05-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及低维纳米材料薄膜的合成，是一种定向纳米棒结构氧化锌薄膜的微波合成方法，其采用微波水热沉积法，以摩尔浓度为1～150mM的锌盐溶液和六次甲基四胺溶液为原料，将空白基底放入微波消解容器内侧，然后密封放入微波消解仪50℃～180℃反应0～4h后，自然冷却，在基底上定向生长出高结晶度的ZnO纳米棒阵列组成的薄膜，纳米棒直径约为50～300nm。本发明采用微波水热法结合微波和水热法优点，提高薄膜的结晶性能，大幅改进薄膜的质量。本方法合成时间短，合成温度低，无需晶种诱导水热沉积，生长的纳米棒结构ZnO薄膜微观形貌均匀、结晶性能好、垂直于基底方向生长，适宜于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102337512A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010238694.4
申请日：2010-07-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种以碳化钽包覆钽丝为催化剂用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。将此热丝催化剂用于硅薄膜的制备，催化剂表面的碳化钽层得到了很好的保持，没有观测到硅化物的生成，即表现出很好的抗老化性能，具有明显延长热丝催化剂使用寿命的潜力。本催化剂制备方法简单，条件易于控制，适用于热丝化学气相沉积制备各种晶化度的本征、掺杂及化合物硅薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100590893C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200510130766.2
申请日：2005-12-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜制备技术，利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜；CdS-ZnS、CdS-CdTe复合薄膜；CuInS2薄膜和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法，制备出各种可以应用于光伏电池的II-VI族半导体薄膜，和Au/n-In2S3/p-CuInS2/SnO2/glass光伏电池，较大幅度的降低了光伏电池的制备成本，为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
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公开(公告)号：CN1996623A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200510130766.2
申请日：2005-12-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种用于光伏电池的II－VI族半导体薄膜制备技术，利用水热晶化的方法在导电玻璃衬底上制备出ZnS、Cu2S薄膜；CdS－ZnS、CdS－CdTe复合薄膜；CuInS2薄膜和Au/n－In2S3/p－CuInS2/SnO2/glass光伏电池。本发明通过采用水热晶化的方法，制备出各种可以应用于光伏电池的II－VI族半导体薄膜，和Au/n－In2S3/p－CuInS2/SnO2/glass光伏电池，较大幅度的降低了光伏电池的制备成本，为其大规模工业化生产提供了一种新型廉价的制备路线。
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公开(公告)号：CN103668104A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210358824.7
申请日：2012-09-24
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜，不同于传统的固体基底，液面上所合成的硅薄膜可转移，呈自支撑状态。进一步，本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取，可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜，有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外，所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体，可实现对样品的有效清洗。
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公开(公告)号：CN103668104B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201210358824.7
申请日：2012-09-24
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜，不同于传统的固体基底，液面上所合成的硅薄膜可转移，呈自支撑状态。进一步，本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取，可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜，有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外，所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体，可实现对样品的有效清洗。
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公开(公告)号：CN102260046A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010185766.3
申请日：2010-05-28
Applicant: 中国科学院大连化学物理研究所
Abstract: 本发明涉及低维纳米材料薄膜的合成，是一种定向纳米棒结构氧化锌薄膜的微波合成方法，其采用微波水热沉积法，以摩尔浓度为1～150mM的锌盐溶液和六次甲基四胺溶液为原料，将空白基底放入微波消解容器内侧，然后密封放入微波消解仪50℃～180℃反应0～4h后，自然冷却，在基底上定向生长出高结晶度的ZnO纳米棒阵列组成的薄膜，纳米棒直径约为50～300nm。本发明采用微波水热法结合微波和水热法优点，提高薄膜的结晶性能，大幅改进薄膜的质量。本方法合成时间短，合成温度低，无需晶种诱导水热沉积，生长的纳米棒结构ZnO薄膜微观形貌均匀、结晶性能好、垂直于基底方向生长，适宜于工业化生产。
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