公开(公告)号：CN115603175A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211293161.5

申请日：2022-10-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所(CN)

Inventor： 刘俊岐 ,  鹿希雨 ,  杨科 ,  刘峰奇 ,  张锦川 ,  翟慎强 ,  卓宁 ,  刘舒曼 ,  王利军

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/50 ,  H01S5/028 ,  H01S5/068

Abstract: 本公开涉及红外通信光电子器件技术领域，尤其涉及一种电吸收调制量子级联激光器芯片及制备方法。其中，该电吸收调制量子级联激光器芯片，包括：分布反馈量子级联激光器区，用于生成中远红外种子激光；电吸收量子级联调制器区，用于对中远红外种子激光进行调制，得到调制后的中远红外种子激光；量子级联光放大器区，用于对调制后的中远红外种子激光进行放大，得到放大调制后的中远红外种子激光。本公开提供的电吸收调制量子级联激光器芯片可以单片集成，并同时兼顾高调制速率与高输出功率。