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公开(公告)号：CN113872544B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202111184437.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶硅并图形化，对应所述谐振部以及所述两个所述电极部形成有谐振结构、输入电极以及输出电极，其中，所述输入电极以及所述输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；释放所述谐振结构下的所述牺牲层，获得谐振器晶片；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述谐振器晶片，形成MEMS谐振器。保证真空气密性，整体工艺流程简单可靠，可实现高精度、高质量、大批量低成本制备。
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公开(公告)号：CN116827302B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210291742.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
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公开(公告)号：CN116827302A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210291742.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
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公开(公告)号：CN113872544A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111184437.1
申请日：2021-10-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明提供一种微机械谐振器的制备方法，其包括以下步骤：获取衬底结构，所述衬底结构形成有谐振部以及处于所述谐振部两侧且呈间隔设置的两个电极部；在所述衬底结构上生长牺牲层并图形化，呈部分显露所述谐振部以及所述两个所述电极部设置；淀积第一多晶硅并图形化，对应所述谐振部以及所述两个所述电极部形成有谐振结构、输入电极以及输出电极，其中，所述输入电极以及所述输出电极均与所述谐振结构之间形成有电容间隙；释放所述谐振结构下的所述牺牲层，获得谐振器晶片；制备封装盖片，真空键合所述封装盖片以及所述谐振器晶片，形成MEMS谐振器。保证真空气密性，整体工艺流程简单可靠，可实现高精度、高质量、大批量低成本制备。
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