公开(公告)号：CN116288641A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310305165.9

申请日：2023-03-24

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 赵思齐 ,  刘兴昉 ,  闫果果 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: C25F7/00 ,  C25F3/12

Abstract: 本公开实施例提供了一种电化学刻蚀装置及其刻蚀方法。其中，该电化学刻蚀装置包括夹具结构、容器结构和电源结构。夹具结构用于在电化学刻蚀过程中夹设目标刻蚀样片，以暴露目标刻蚀样片的刻蚀区域；在电化学刻蚀过程中，夹具结构设置在容器结构中，且刻蚀区域与容器结构中的电解质溶液接触；电源结构正极与夹具结构电连接，并且电源结构负极连接至与电解质溶液接触的阴极；其中，电解质溶液为氢氧化钾溶液和过氧化钠溶液的混合液。因此，基于本公开的上述电化学刻蚀装置，能够确保电化学刻蚀工艺的安全性更高，同时保证简单易操作，且能够在低成本以及低危险系数的情况下完成对碳化硅的高精度刻蚀。

公开(公告)号：CN117552102A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311376611.1

申请日：2023-10-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 刘兴昉 ,  赵思齐 ,  闫果果 ,  申占伟 ,  赵万顺 ,  王雷 ,  曾一平

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅外延生长方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：S1，在该碳化硅外延反应室中加入碳源和硅源，在预设反应条件下生成碳化硅晶体；S2，在该碳化硅外延反应室中加入混合气体，该混合气体包括活性气体和惰性气体；S3，在该碳化硅外延反应室中加入掺杂源，以控制该碳化硅晶体的电学性能；S4，对该碳化硅薄膜的生长条件进行优化，使该碳化硅晶体生长到预设的尺寸和厚度；S5，采用表面修饰技术，去除该碳化硅晶体表面的缺陷和污染。本发明提供了一种碳化硅外延，可以有效地降低碳化硅外延的缺陷密度，提高碳化硅晶体的质量和稳定性，从而提高碳化硅器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN113186594A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110478031.8

申请日：2021-04-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 汪久龙 ,  赵思齐 ,  申占伟 ,  闫果果 ,  赵万顺 ,  王雷 ,  刘兴昉 ,  孙国胜 ,  曾一平

IPC: C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B28/14 ,  C30B29/36

Abstract: 本公开提供了一种进气装置，该进气装置包括：送气结构、缓冲气室、调节装置、出气板、气流挡板和外壳；送气结构与外壳相连接；出气板与外壳相连接，形成缓冲气室；气流挡板位于缓冲气室内，气流挡板的中心与送气结构的中心重合；气流挡板与调节装置相连接；调节装置控制气流挡板沿进气方向往复移动；出气板上包括若干出气孔。本公开通过在送气口设置气流挡板，与缓冲气室配合，可有效减轻气体流速不均匀性，同时，出气板的均匀开孔可以确保后续气流整体流速、流量均匀性较好。且单间缓冲气室与单层出气板可有效降低装置总体结构复杂度、降低送气结构内部压力、提高整体气密性。

公开(公告)号：CN119049964A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411175479.2

申请日：2024-08-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 焦婧一 ,  赵思齐 ,  李云凯 ,  魏默予 ,  裴羿成 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  闫果果 ,  刘兴昉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种立方碳化硅栅氧层制备方法，包括：将清洗后的3C‑SiC样品放入氧化炉；通过设置第一升温速率，以使3C‑SiC样品完成预热区处理；将氧化炉内的温度从中间温度升至目标温度的过程中，同时对氧化炉内持续通入载气，以使3C‑SiC样品完成升温区处理；当温度达到目标温度时，在预设的氧化时间阈值内使3C‑SiC样品完成高温低压氧化区处理，并设置氧化炉中通入载气的第一流量阈值以及含氧气体的流量比值；根据通入保护气氛的方式对氧化处理后的3C‑SiC样品完成降温区处理，得到布设于3C‑SiC样品的上下两侧栅氧层。利用对氧化温度及其相关气氛条件的精准调控，实现了厚度均匀、界面稳定且缺陷密度极低的#imgabs0#层生长。

公开(公告)号：CN118969604A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202411114799.7

申请日：2024-08-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏默予 ,  赵思齐 ,  李云凯 ,  裴羿成 ,  焦婧一 ,  王雷 ,  赵万顺 ,  闫果果 ,  刘兴昉

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供了一种方石英栅氧介质层的制备方法，可应用于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：准备4H碳化硅待氧化样品，高温加热使其表面氧化，生成初始方石英氧化层；以及退火处理初始方石英氧化层，得到氧化后的4H碳化硅。采用氧化与退火工艺制备全覆盖的方石英薄膜，无需引入其它元素，利用方石英的晶态及介电特性，本发明还提供了方石英做栅氧介质层的三种不同应用，屏蔽4H碳化硅表面及界面缺陷，实现高质量碳化硅金属氧化物半导体器件。