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公开(公告)号：CN101538737A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102197.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/16 , C30B29/62 , C30B25/18 , H01L31/0296
Abstract: 一种利用p型掺杂的硅为衬底生长氧化锌纳米棒的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选取一硅衬底；步骤2：在硅衬底(111)晶面上采用金属有机物化学气相沉积的方法生长氧化锌纳米棒；步骤3：将得到的氧化锌纳米棒样品静置在反应室腔体中缓慢冷却，直至反应室腔体中的温度与室温相同时再取出，完成氧化锌纳米棒的制作。
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