公开(公告)号：CN114107901A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010892022.9

申请日：2020-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴金良 ,  尹志岗 ,  张兴旺 ,  郑茂源 ,  程勇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成，对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN114107901B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202010892022.9

申请日：2020-08-28

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴金良 ,  尹志岗 ,  张兴旺 ,  郑茂源 ,  程勇

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备四方相BiFeO3薄膜的方法及系统，包括：S1，研磨Bi2O3、Fe2O3粉末，将研磨后的混合粉末压制成溅射靶；S2，洗涤衬底，衬底至少包含ZnO(110)或ZnO(001)；S3，采用射频溅射使溅射靶的Bi、Fe、O原子沉积在衬底上，得到四方相BiFeO3外延薄膜。本发明提供的方法首次实现了四方相BiFeO3与半导体ZnO的外延集成，对其在非易失信息存储等领域的应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN113035693B

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110252819.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程勇 ,  郑茂源 ,  吴金良 ,  尹志岗 ,  张兴旺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法及其系统，其中，该方法包括：提供HfO2基陶瓷靶材，其中，HfO2基陶瓷靶材含有掺杂元素；提供半导体ZnO衬底；对半导体ZnO衬底进行加热至预设温度，以高能粒子或高能脉冲辐射冲击HfO2基陶瓷靶材，以便将HfO2基陶瓷靶材中的Hf、O及掺杂元素沉积在半导体ZnO衬底上，得到预设厚度的包含Hf、O及掺杂元素的HfO2基铁电薄膜。

公开(公告)号：CN115548209A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202110740680.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 吴金良 ,  尹志岗 ,  江奕天 ,  程勇 ,  张兴旺

IPC: H01L41/187 ,  C30B23/02 ,  C30B29/32 ,  C30B29/64 ,  H01L41/37

Abstract: 本发明提供了一种制备锆钛酸铅柔性单晶薄膜的方法，包括：在单晶衬底上制备a面氧化锌缓冲层；在a面氧化锌缓冲层上外延生长锆钛酸铅单晶薄膜层，得到复合层结构；将复合层结构置于稀酸溶液中，采用湿法腐蚀工艺腐蚀a面氧化锌缓冲层，得到锆钛酸铅单晶薄膜；将锆钛酸铅单晶薄膜转移至柔性衬底上，得到柔性衬底支撑的锆钛酸铅柔性单晶薄膜。本发明可实现锆钛酸铅外延薄膜的柔性化，制备过程具有严格意义上的可控性及可重复性；本发明制备过程简单、成本低、适用范围广，对实现锆钛酸铅柔性电子器件研制具有重要推动作用。

公开(公告)号：CN114284356A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111584356.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 尹志岗 ,  董昊 ,  程勇 ,  吴金良 ,  江奕天 ,  张兴旺

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供一种场效应存储器件，涉及半导体技术领域。该器件包括：半导体基片；源区和漏区，形成于半导体基片上且相互隔开，源区与漏区之间形成有沟道区，沟道区上形成有栅氧层，栅氧层的两端与源区和漏区相接，栅氧层具有可移动带电缺陷，栅氧层上形成有栅电极；源电极和漏电极，分别形成于源区和漏区上。本公开的场效应存储器件，利用栅氧层中可移动带电缺陷的位置分布来调控沟道电流的开关状态，实现信息的写入。结构简单，容易制备，易于大规模推广应用的特点，可以同时满足目前对非易失存储器提出的快速读写、高读写次数、低功耗、高存储密度、兼容CMOS工艺的要求。

公开(公告)号：CN113035693A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110252819.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程勇 ,  郑茂源 ,  吴金良 ,  尹志岗 ,  张兴旺

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法及其系统，其中，该方法包括：提供HfO2基陶瓷靶材，其中，HfO2基陶瓷靶材含有掺杂元素；提供半导体ZnO衬底；对半导体ZnO衬底进行加热至预设温度，以高能粒子或高能脉冲辐射冲击HfO2基陶瓷靶材，以便将HfO2基陶瓷靶材中的Hf、O及掺杂元素沉积在半导体ZnO衬底上，得到预设厚度的包含Hf、O及掺杂元素的HfO2基铁电薄膜。