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发明公开
一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法无效

公开(公告)号：CN1741329A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200410056982.2

申请日：2004-08-25

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 郭瑜 , 王春华 , 刘俊岐 , 刘峰奇 , 王占国

IPC: H01S5/00

Abstract: 一种磷化铟基量子级联半导体激光器，包括：一N型磷化铟衬底；一N型铟镓砷下波导层，该下波导层制作在N型磷化铟衬底上；一35个周期铟镓砷/铟铝砷交替的有源区，该有源区制作在下波导层上；一N型铟镓砷上波导层，该上波导层制作在有源区上；一N型磷化铟上包层，该上包层制作在上波导层上；一N型磷化铟接触层，该接触层制作在上包层上；一N型铟镓砷欧姆接触层，该欧姆接触层制作在N型磷化铟接触层上；经刻蚀在表面形成双沟脊形台面，在该双沟脊形台面制作有绝缘层，该绝缘层之间断开形成电流注入窗口；一正面N型电极，该正面N型电极制作在绝缘层上；一背面N型电极，该背面N型电极制作在N型磷化铟衬底上。

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