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公开(公告)号：CN112986622B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110232359.1
申请日：2021-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种圆片级纳米针尖及其制作方法，方法包括：刻蚀硅基衬底，得到第一针尖原胚，其中，第一针尖原胚的最细处尺寸为微米或者亚微米尺度；对第一针尖原胚进行第一热氧化，去除第一针尖原胚的表面缺陷，刻蚀第一热氧化后的第一针尖原胚得到第二针尖原胚；对第二针尖原胚进行至少一次第二热氧化，使第二针尖原胚进入自限制热氧化阶段，直到第二针尖原胚的针尖曲率半径达到一临界值，得到圆片级纳米针尖，其中，每次第二热氧化后均对第二针尖原胚进行刻蚀。本发明通过高温热氧化工艺和低温热氧化工艺相结合的方法，先去除纳米针尖原胚的表面缺陷，再对圆片范围内的纳米针尖尺寸进行精确控制，实现了纳米针尖的高成品率规模化制作。
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公开(公告)号：CN112986622A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110232359.1
申请日：2021-03-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种圆片级纳米针尖及其制作方法，方法包括：刻蚀硅基衬底，得到第一针尖原胚，其中，第一针尖原胚的最细处尺寸为微米或者亚微米尺度；对第一针尖原胚进行第一热氧化，去除第一针尖原胚的表面缺陷，刻蚀第一热氧化后的第一针尖原胚得到第二针尖原胚；对第二针尖原胚进行至少一次第二热氧化，使第二针尖原胚进入自限制热氧化阶段，直到第二针尖原胚的针尖曲率半径达到一临界值，得到圆片级纳米针尖，其中，每次第二热氧化后均对第二针尖原胚进行刻蚀。本发明通过高温热氧化工艺和低温热氧化工艺相结合的方法，先去除纳米针尖原胚的表面缺陷，再对圆片范围内的纳米针尖尺寸进行精确控制，实现了纳米针尖的高成品率规模化制作。
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公开(公告)号：CN113504394B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110787431.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。
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公开(公告)号：CN113504394A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110787431.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种镀膜探针的圆片级制备方法及镀膜探针，制备方法包括：在圆片级的衬底上形成针尖图形掩膜和补偿结构图形掩膜；形成针尖原胚结构和补偿结构；锐化针尖；背面各向异性深刻蚀体硅层；正面刻蚀埋氧层的裸露区域及体硅层；去除正面深刻蚀掩膜层和背面深刻蚀掩膜层，形成基座和悬臂梁；在针尖的表面镀膜，形成镀膜针尖，完成镀膜探针的圆片级制备。采用该种制备方法，实现了探针的可靠制备，该方法操作简单、可靠；通过优化薄膜沉积条件，实现三维结构中不同功能薄膜材料的保形沉积，可广泛应用于原子探针、纳米针尖阵列等的制作中。
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